| 講演名 | 2005/6/23 Excimer Laser Annealing of PbZr_<0.4>Ti_<0.6>O_3 Thin Film at Low Temperature for TFT FeRAM Application(Thin Film Devices and Systems) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this study, we successfully produced PbZr_<0.4>Ti_<0.6>O_3 (PZT) thin films with high crystallinity and high remnant polarization (Pr) at low process temperatures using pulsed excimer (XeCl) laser irradiation. The amorphous PZT films were annealed at 550℃ for 10min to initiate the nucleation of the PZT perovskite phase, and then annealed with an excimer laser heating at 400℃. X-ray diffraction (XRD) patterns show that 150-230mJ/cm^2 range multi-shot excimer laser irradiation drastically improved the crystallinity of the PZT perovskite phase, and Field emission SEM (FESEM) photographs show that the PZT thin film has uniform-sized crystal grains. The ferroelectric properties were found to depend on the laser energy density and shot number. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | PZT / Excimer Laser annealing |
| 資料番号 | ED2005-99,SDM2005-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excimer Laser Annealing of PbZr_<0.4>Ti_<0.6>O_3 Thin Film at Low Temperature for TFT FeRAM Application(Thin Film Devices and Systems) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / PZT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / W. X. XIANYU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Advanced Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-99,SDM2005-119 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |