| 講演名 | 2005/6/23 ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) 内田 雅也, 三田 拓司, 鎌倉 良成, 谷口 研二, |
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| 抄録(和) | k・p摂動法によるバンド計算をもとに, ひずみSi-pMOSFETにおけるチャネル移動度の向上度について, 特に1軸および2軸応力の場合の比較を中心に議論する.低ひずみ領域(<0.5%)では, チャネル方向〈110〉に1軸圧縮ひずみを印加することが, サブバンド間隔を広げることにつながり, 移動度を最も効果的に向上させると考えられる. |
| 抄録(英) | We investigate the mobility enhancement of the strained Si-channel pMOSFETs in the framework of the k・p band calculation, and the cases of uni- and biaxial stresses are compared. Under the small strain conditions (<0.5 %), it is shown that the inversion hole mobility is enhanced most effectively by the compressive uniaxial strain. |
| キーワード(和) | ひずみSi / ホール移動度 / 1軸応力 / 2軸応力 |
| キーワード(英) | Strained Si / pMOSFET / Hole mobility / Uniaxial stress / Biaxial stress |
| 資料番号 | ED2005-96,SDM2005-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Calculation of Mobility Enhancement of Strained Si pMOSFETs : Comparison between Uni-and Biaxial Stress(Group IV Compound Semiconductors) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ひずみSi / Strained Si |
| キーワード(2)（和/英） | ホール移動度 / pMOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 1軸応力 / Hole mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 2軸応力 / Uniaxial stress |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 内田 雅也 / Masaya UCHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三田 拓司 / Takuji SANDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari KAMAKURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji TANIGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-96,SDM2005-116 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |