| 講演名 | 2005/6/23 マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) 西坂 美香, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 歪みSi/SiGeおよび、歪みSi/SGOI-MOSFETのゲート絶縁膜としてマイクロ波励起プラズマ酸化膜の適用を検討した。プラズマ酸化膜形成後、低温wet酸化処理を加えることで界面準位が大幅に減少することが分かった。また、wet処理を行ったプラズマ酸化を用いたGe濃度15%の歪みSi-nMOSFETを作製した結果、歪みSi素子はバルクSi素子に比べ72%の相互コンダクタンスの増大することを確認した。歪みSi/SGOI-pMOSFETでは、800℃のドライ酸化を適用するとMESA分離により露出したSiGe層の酸化によって形成されるGe濃縮層に起因するリーク電流が発生した。一方で、プラズマ酸化を行うと側壁部でのGe濃縮が抑制されるためにリーク電流が抑制されることが分かった。 |
| 抄録(英) | We have applied 400℃ microwave-plasma oxidation to the gate oxide formation of strained-Si/SiGe MOSFET. Application of low-temperature wet-O_2 treatment to plasma oxide on strained-Si/Si_<0.85>Ge_<0.15> significantly reduces the interface states and provides 72% enhancement in transconductance compared to Si control device. Strained-Si/SGOI p-channel MOSFETs on 15%-Ge content wafer were also fabricated. In case of thermally oxidized device, a two-step subthreshold characteristic was appeared due to Ge condensation up to 50%-Ge at MESA island edge. On the other hand, the plasma oxide device showed reduced leakage current owing to the suppression of the Ge condensation. |
| キーワード(和) | 歪みSi / プラズマ酸化 |
| キーワード(英) | strained-Si / SiGe / SiGe-on-insulator / plasma oxidation / MOSFET |
| 資料番号 | ED2005-95,SDM2005-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microwave Plasma Oxidation for Reducing Ge Condensation at SiGe sidewall of Strained-Si/SGOI MOSFET(Group IV Compound Semiconductors) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪みSi / strained-Si |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ酸化 / SiGe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西坂 美香 / Mika NISHISAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-95,SDM2005-115 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |