| 講演名 | 2005/6/23 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) 福田 憲司, 原田 信介, 岡本 光央, 小杉 亮治, 先崎 純寿, 田中 保宣, 児島 一聡, 八尾 勉, 高尾 和人, 安達 和広, 加藤 真, 下里 淳, |
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| 抄録(和) | AIST/PERCは、SiC及びGaNを用いたパワーエレクトロニクス技術を結晶成長からシステムまで研究している。本論分においては、(1)(0001)面、(11-20)面、(000-1)面において高チャネル移動度を得るためのSiC MOSの形成方法、(2)ゲート酸化膜の長期信頼性(TZDB, TDDB)、(3)SiC DMOS、(4)SiC JFET(SIT)について報告する。 |
| 抄録(英) | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/Power Electronics Research Center (AIST/PERC) is Japanese national institution for power electronics techniques using new materials such as SiC and GaN. In this paper, we mainly introduce our activities; (1) SiC MOS formation technique on the (0001) face, the (11-20) face and the (000-1) face for improvement of channel mobility (2) gate oxide reliability such as TZDB, TDDB, (3) SiC DMOS (DEMOS/IEMOS), (4) SiC JFETs(SITs) |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SiC / MOSFETs / DMOS / DEMOS / IEMOS / SIT |
| 資料番号 | ED2005-93,SDM2005-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Recent progress of SiC devices in AIST(Group IV Compound Semiconductors) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SiC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福田 憲司 / Kenji Fukuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原田 信介 / Shinsuke Harada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡本 光央 / Mitsuo Okamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小杉 亮治 / Ryoji Kosugi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 先崎 純寿 / Junji Senzaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田中 保宣 / Yasunori Tanaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 児島 一聡 / Kazutoshi Kojima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 八尾 勉 / Tsutomu Yatsuo |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高尾 和人 / Kazuto Takao |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 安達 和広 / Kazuhiro Adachi |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 加藤 真 / Makoto Kato |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 下里 淳 / Atsushi Shimozato |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-93,SDM2005-113 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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