| 講演名 | 2005/6/22 Application of Photonic Crystals to LED(High Speed and Optoelectronic Technology II) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have integrated the photonic crystal on the surface of GaN light emitting diode (LED) in order to enhance the extraction efficiency. ITO hole patterns with period of 700nm have been fabricated on the surface of LED. This reveals an enhancement by 35% on the wafer level measurement, but the enhancement reduced to about 10% for packaged LED. With the FDTD (finite-difference time-domain) simulation, we have calculated that 70% of light energy is confined in the GaN layer. So that further enhancement will be achieved by the GaN-etched photonic crystals. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Photonic crystal / GaN LED / Extraction efficiency / FDTD simulation |
| 資料番号 | ED2005-90,SDM2005-110 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/22(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of Photonic Crystals to LED(High Speed and Optoelectronic Technology II) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Photonic crystal |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Young Ho CHOE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | LG Electronics Institute of Technology, LG Electronics |
| 発表年月日 | 2005/6/22 |
| 資料番号 | ED2005-90,SDM2005-110 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 156 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |