| 講演名 | 2005/6/21 Novel Structures for 2-Bit Per Cell of NVM Using Asymmetric Double Gate(Advanced Si Devices) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A 2-bit operational metal-oxide-nitride-oxide-silicon (MONOS) nonvolatile memory using an asymmetric double-gate (ASDG) MOSFET is studied to double the flash memory density. The 2-bit programming and erasing is performed by Fowler-Nordheim (FN) tunneling in a NAND array architecture using individually controlled gates. A threshold voltage shift of programmed states for the 2-bit operation was investigated with the aid of SILVACO^[○!R] simulator in the both sides of gate by changing gate workfunctions and tunneling oxide thicknesses. In this paper, guidelines of the 2-bit ASDG nonvolatile memory structure and operational conditions are proposed for "program", "read", and "erase". |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MONOS / Fowler-Nordheim tunneling / Asymmetric double gate / Nonvolatile memory / Flash memory |
| 資料番号 | ED2005-82,SDM2005-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Novel Structures for 2-Bit Per Cell of NVM Using Asymmetric Double Gate(Advanced Si Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MONOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Kuk Hwan Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of EECS, Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2005/6/21 |
| 資料番号 | ED2005-82,SDM2005-102 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |