| 講演名 | 2005/6/21 Degradation and Recovery Phenomena of Thin Gate Oxide Films under Dynamic Negative-Bias Temperature Instability (NBTI) Stress(Functional Devices and Circuits) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | This paper investigates degradation/recovery behavior of 2.9nm-thick gate oxide integrity under negative/positive bias temperature instability stress. In addition to the typical NBTI mechanism that is attributed to interface defects, the precursor for oxide fixed charge is probably created in the bulk of the gate oxide, depending on process variations and extrinsic-defect levels. We suggest three kinds of bulk traps that have different de-trapping behaviors. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | NBTI / PBTI / Degradation / Recovery |
| 資料番号 | ED2005-77,SDM2005-97 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/21(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Degradation and Recovery Phenomena of Thin Gate Oxide Films under Dynamic Negative-Bias Temperature Instability (NBTI) Stress(Functional Devices and Circuits) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / NBTI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jae Sung Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Division of Information and Communication Eng., Uiduk University |
| 発表年月日 | 2005/6/21 |
| 資料番号 | ED2005-77,SDM2005-97 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |