| 講演名 | 2005/6/21 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) 佐道 泰造, 竹内 悠, 上田 公二, 権丈 淳, 宮尾 正信, |
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| 抄録(和) | 分子ビームエピタキシャル成長法による, Fe_3Si/Siの形成プロセスを検討した.X線回折測定の結果, 堆積温度(30-300℃)でFe_3Si相が形成され, 堆積温度(400℃)では, FeSi相が形成されることが判った.高温堆積(400℃)でのFeSi相の形成は, 基板からのSi供給に起因する.透過型電子顕微鏡測定の結果, Si(111)基板上では, Fe_3Si(111)薄膜がエピタキシャル成長する事が判明した.一方, Si(100)基板上では, 多結晶Fe_3Siが形成された.形成されたFe_3Siには, B2相とDO3(ハーフメタリック)相が混在していた.Fe_3Si(111)薄膜の磁気特性を評価した結果, 180°周期の面内磁気異方性が観測された. |
| 抄録(英) | Epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe_3Si on Si was investigated by using the molecular beam epitaxy. The XRD measurements revealed that the Fe_3Si phase was formed at 30-300℃, and the FeSi phase was formed at 400℃. From the results of XRD and TEM measurements, it was found that the Fe_3Si(111) layers were epitaxially grown on Si(111), while random poly-crystal Fe_3Si layers were formed on Si(100). Detailed XRD measurements showed that a small amount of the DO3-type Fe_3Si was formed together with the B2-type Fe_3Si. The VSM measurements revealed that the Fe_3Si(111) layers on Si(111) have the in-plane magnetic anisotropy with a period of 180°. |
| キーワード(和) | シリサイド強磁性体 / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | Ferromagnetic silicide / Fe_3Si / Epitaxial growth |
| 資料番号 | ED2005-73,SDM2005-93 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular Beam Epitaxy of Fe_3Si Film on Si Substrate(New Materials and Processes) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリサイド強磁性体 / Ferromagnetic silicide |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / Fe_3Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 悠 / Hisashi TAKEUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上田 公二 / Koji UEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 権丈 淳 / Atsushi KENJO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2005/6/21 |
| 資料番号 | ED2005-73,SDM2005-93 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |