| 講演名 | 2005/6/21 ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) 大見 俊一郎, 黒瀬 朋紀, 佐藤 雅樹, 内川 偉史, |
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| 抄録(和) | HfO_2薄膜をECR Ar/N_2プラズマ窒化することにより形成したHfO_xN_yの、ゲート絶縁膜応用に関する検討を行った。ケミカルオキサイドを0.7nm形成したSi(100)基板上に、1.5nmのHfO_2薄膜に対しECR Ar/N_2プラズマ窒化を行うことにより形成したHfO_xN_y薄膜では、窒素雰囲気におけるPDAによる低誘電率界面層の形成及び結晶化が抑制されることが分かった。900℃/5分の窒素中PDAを行うことにより、基板のSiが拡散し、比較的高い比誘電率を有するHfSiON薄膜が界面付近に形成され、EOT 2.0nmでリーク電流値1.0×10^<-3>A/cm^2 (V_ |
| 抄録(英) | HfSiON thin films formed by ECR Ar/N_2 plasma nitridation of HfO_2 films was investigated for high-k gate insulator applications. HfO_xN_y thin films formed by the ECR Ar/N_2 plasma nitridation (60s) of 1.5nm-thick HfO_2 films, which were deposited on the chemically oxidized Si(100) substrates, were found to be effective for suppressing the interfacial layer growth and/or crystallization during the post deposition annealing (PDA) in a N_2 ambient. After the PDA of 900℃ for 5min in the N_2 ambient, it was found that HfSiON film with relatively high dielectric constant was formed on the HfO_xN_y/Si interface by Si atoms diffusion. The EOT of 2.0nm with the leakage current density of 1.0×10^<-3>A/cm^2 (@V_ |
| キーワード(和) | 電子サイクロトロン共鳴(ECR) / スパッタ / プラズマ窒化 / ポストデポジションアニール(PDA) / 高誘電率 |
| キーワード(英) | Electron Cyclotron Resonance (ECR) / Sputtering / Plasma Nitridation / Post Deposition Annealing (PDA) / high-k / HfO_xN_y |
| 資料番号 | ED2005-68,SDM2005-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ECR Ar/N_2 Plasma Nitridation of HfO_2 for High-k Gate Insulator Applications(Advanced ULSI Technology) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電子サイクロトロン共鳴(ECR) / Electron Cyclotron Resonance (ECR) |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタ / Sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ窒化 / Plasma Nitridation |
| キーワード(4)（和/英） | ポストデポジションアニール(PDA) / Post Deposition Annealing (PDA) |
| キーワード(5)（和/英） | 高誘電率 / high-k |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大見 俊一郎 / Shunichiro OHMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒瀬 朋紀 / Tomoki KUROSE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 雅樹 / Masaki SATOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 内川 偉史 / Takafumi UCHIKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/6/21 |
| 資料番号 | ED2005-68,SDM2005-88 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |