| 講演名 | 2005/6/2 走査型トンネル顕微鏡を用いたhigh-kゲート絶縁膜の評価 : STMスポットと正固定電荷の相関(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術) 宮田 典幸, 太田 裕之, 市川 昌和, |
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| 抄録(和) | 走査型トンネル顕微鏡(scanning tunneling microscopy: STM)を用いてHfO_2表面を観察していると、ナノスケールのスポットが突然現れる箇所が認められた。STMスポットの形成は、HfO_2表面近傍の欠陥が構造変化を起こしたことを示唆している。また、STMで観察される欠陥は、HfO_2成長後の熱処理温度を高くすることで低減でき(400-550℃)、さらにHfO_2膜中の正固定電荷の温度依存性と良い相関を持つことが明らかになった。すなわち、STMスポットは、正固定電荷が存在していた箇所に対応すると推測される。 |
| 抄録(英) | We found that nanometer-scale spots in scanning tunneling microscopy (STM) images appear during the STM observation of thin HfO_2 films on Si. It is considered that these STM-induced spots correspond to some specific defects around the HfO_2 surface. The defect density estimated by STM decreases with increasing the temperature of post deposition annealing (PDA, 400-550℃). Furthermore, the PDA-temperature dependence of the defect density is approximately consistent with that of the density of fixed positive charges in the HfO_2 films. We therefore consider that STM visualizes the sites of fixed positive charges in the HfO_2 films. |
| キーワード(和) | 固定電荷 |
| キーワード(英) | High-k / HfO_2 / STM / Fixed Charge |
| 資料番号 | SDM2005-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 走査型トンネル顕微鏡を用いたhigh-kゲート絶縁膜の評価 : STMスポットと正固定電荷の相関(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scanning Tunneling Microscopy Study of High-k Gate Dielectric Films : Correlation between STM-induced Spots and Fixed Positive Charges |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 固定電荷 / High-k |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮田 典幸 / Noriyuki Miyata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 次世代半導体研究センター Advanced Semiconductor Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (ASRC, AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 次世代半導体研究センター Advanced Semiconductor Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (ASRC, AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市川 昌和 / Masakazu Ichikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学工学部物理工学科 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, the University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2005/6/2 |
| 資料番号 | SDM2005-65 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 108 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |