| 講演名 | 2005/6/2 高誘電率ゲート絶縁膜における電子ストレスのRigged QED (Quantum Electrodynamics)理論に基づく第一原理計算 : 核-電子-電磁場複合ダイナミクスの第一原理計算プログラム開発(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術) 立花 明知, |
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| 抄録(和) | 高誘電率ゲート絶縁膜における電子ストレスのRigged QED (Quantum Electrodynamics)理論に基づく第一原理計算と量子エネルギー密度の可視化の研究開発の現状を紹介する。 |
| 抄録(英) | Theoretical modeling of the electronic and structural properties of nano-regional surfaces and interfaces has been developed in order to study the grand design of Nano CMOS devices from the first principles approach. A new visualization scheme of the quantum chemical energy density and bonds in clusters and crystals has been proved to be useful in order to visualize the Rigged QED theory in terms of the Regioanl DFT theory. |
| キーワード(和) | 高誘電率ゲート絶縁膜 / 電子ストレス / 量子エネルギー密度 / 可視化 / Rigged QED理論 |
| キーワード(英) | High-k dielectrics / Electronic stress / Quantum energy density / Visualization / Rigged QED theory |
| 資料番号 | SDM2005-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/2(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高誘電率ゲート絶縁膜における電子ストレスのRigged QED (Quantum Electrodynamics)理論に基づく第一原理計算 : 核-電子-電磁場複合ダイナミクスの第一原理計算プログラム開発(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The First Principle Calculation of the Electronic Stress in the High-k Dielectrics Using the Rigged QED (Quantum Electrodynamics) Theory : Unified Nuclear-Electronic-Electromagnetic Field Approach |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高誘電率ゲート絶縁膜 / High-k dielectrics |
| キーワード(2)（和/英） | 電子ストレス / Electronic stress |
| キーワード(3)（和/英） | 量子エネルギー密度 / Quantum energy density |
| キーワード(4)（和/英） | 可視化 / Visualization |
| キーワード(5)（和/英） | Rigged QED理論 / Rigged QED theory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 立花 明知 / Akitomo TACHIBANA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻ナノサイエンス講座量子物性学分野 Department of Microengineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2005/6/2 |
| 資料番号 | SDM2005-59 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 108 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |