| 講演名 | 2005/3/4 MOCVDによる強誘電体PZT薄膜キャパシタの作製 : 成膜安定性と前後プロセス依存性(新型不揮発性メモリ) 西岡 浩, 梶沼 雅彦, 増田 健, 木村 勲, 菊地 真, 神保 武人, 植田 昌久, 遠藤 光広, 小風 豊, 鄒 紅〓, |
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| 抄録(和) | MOCVDによる強誘電体メモリの量産技術の開発が行われてきた。基板温度を均一かつ安定に制御し、ガスの加熱、流れおよび混合を原料供給器から除害装置まで徹底して制御することにより、ウェハ面内で膜特性が均一で、再現性に優れ、かつ、低パーティクルな成膜を実現した。また、上下電極成膜やエッチング行程がPZT強誘電体薄膜に与える影響を調べた結果、作製した膜は劣化もなく優れた特性を有することが確認された。得られたPZT膜は、メモリ量産行程に十分対応出来ることが分かった。 |
| 抄録(英) | Mass production technology of Ferroelectric random access memory prepared by MOCVD method was studied. Uniformity of Ferroelectric property, growth stability and particle less were achieved for the control of substrate temperature uniformity and stability, and the control of gas heating, mixing and flow from precursor delivery system to scrubber system. Dependency on Top and Bottom electrode and Etching process were investigated, and the films have no damage and good property. The PZT thin films had excellent ferroelectric properties for mass production. |
| キーワード(和) | MOCVD / PZT / FRAM / 強誘電体メモリ / 再現性 / パーティクル |
| キーワード(英) | MOCVD / PZT / FRAM / Ferroelectric Random Access Memory / Repeatability / Particle |
| 資料番号 | SDM2004-256 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/3/4(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVDによる強誘電体PZT薄膜キャパシタの作製 : 成膜安定性と前後プロセス依存性(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of PZT Thin Film Capacitor by MOCVD Method : Growth Stability and Dependency on Before and After Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | PZT / PZT |
| キーワード(3)（和/英） | FRAM / FRAM |
| キーワード(4)（和/英） | 強誘電体メモリ / Ferroelectric Random Access Memory |
| キーワード(5)（和/英） | 再現性 / Repeatability |
| キーワード(6)（和/英） | パーティクル / Particle |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西岡 浩 / Yutaka Nishioka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 梶沼 雅彦 / Masahiko Kajinuma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増田 健 / Takeshi Masuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木村 勲 / Isao Kimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 菊地 真 / Shin Kikuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 神保 武人 / Takehito Jimbo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 植田 昌久 / Masahisa Ueda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 遠藤 光広 / Mitsuhiro Endo |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 小風 豊 / Yutaka Kokaze |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 鄒 紅〓 / Koukou Suu |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 株式会社アルバック半導体技術研究所 Institute for Semiconductor Technologies, ULVAC, Inc. |
| 発表年月日 | 2005/3/4 |
| 資料番号 | SDM2004-256 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 713 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |