| 講演名 | 2005/3/4 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ) 藤崎 芳久, 石原 宏, |
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| 抄録(和) | 膜厚80nmのBi_<3.45>La_<0.75>Ti_3O_<12>(BLT)をゾルゲル法で形成する際、減圧酸素雰囲気中での仮焼成を行う事で強誘電特性が大きく向上する事を見いだした。この減圧仮焼成は原料塗布後の低温での乾燥後、乾燥結晶化前に100%酸素雰囲気中で行う。最大残留分極値(Pr)は1.3kPaの減圧酸素雰囲気中での仮焼成により作製した試料で得られ27.2μC/cm^2で、抗電界は54.3kV/cmであった。このPr値は従来の1気圧酸素雰囲気中での仮焼成で作製した試料の残留分極値に比べ約2.3倍である。ヒステリシス曲線の飽和特性も良好で、+/-1.2Vでほぼ飽和する。この強誘電特性の大幅な向上機構を調べるため、主に乾燥ゲル構造の結晶学的解析を行った。その結果、現活雰囲気下で形成されたゲルの多孔質構造が特性向上に影響を及ぼしている事が明らかとなった。 |
| 抄録(英) | The ferroelectricity of sol-gel derived 80-nm Bi_<3.45>La_<0.75>Ti_3O_<12> (BLT) films was found to be significantly enhanced by low-pressure baking during the sol-gel process. The ferroelectricity enhancement was caused by the low-pressure baking after the drying process in air and before the crystallization of the dried gel. The maximum remanent polarization (Pr) was 27.2 μC/cm^2, which was achieved after baking at 1.3 kPa oxygen pressure. The coercive field of 54.3 kV/cm was also achieved at the same time. This Pr value is 2.3 times larger than the value attainable with the usual 1-atm baking process. The saturation property of the same capacitor proved that +/-1.2 V operation is possible. The crystal graphical analysis mainly on the structure of dried gels was carried out to investigate the mechanism of large ferroelectricity enhancements. As a result, the porous structure of the gel dried under the low pressure oxygen ambience is found to be attributable to this enhancements. |
| キーワード(和) | BLT / 強誘電特性 / ゾルゲル / 減圧 / 仮焼成 |
| キーワード(英) | BLT / ferroelectricity / sol-gel / low pressure baking |
| 資料番号 | SDM2004-255 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/3/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis on Enhanced Crystallization of Oxide Thin Films Caused by Prebaking under Reduced Oxygen Ambience |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BLT / BLT |
| キーワード(2)（和/英） | 強誘電特性 / ferroelectricity |
| キーワード(3)（和/英） | ゾルゲル / sol-gel |
| キーワード(4)（和/英） | 減圧 / low pressure baking |
| キーワード(5)（和/英） | 仮焼成 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤崎 芳久 / Yoshihisa FUJISAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石原 宏 / Hiroshi ISHIWARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/3/4 |
| 資料番号 | SDM2004-255 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 713 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |