| 講演名 | 2005/3/4 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ) 上野 修一, 栄森 貴尚, 黒岩 丈晴, 古田 陽雄, 土本 淳一, 前島 伸六, 辻 高晴, 古賀 剛, 大路 譲, |
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| 抄録(和) | 130nm-node logicプロセスによりMRAMを試作し1.2V単一電源で100MHzの高速動作を実現した。0.26x0.44μm^2にパターニングしたMTJにおいても高い信頼性は維持され、少なくとも10^<13>回までの書き換え試験では特性の劣化はない。また、さらなる高速化の為、動作速度に対するMTJ構造最適化への指針を示す。 |
| 抄録(英) | A 130nm-node MRAM is introduced with 0.26 x 0.44μm^2 MTJ. 100MHz high speed can be observed. No degradation can also be observed after 10^<13> times write cycling. High endurance immunity is kept after patterning MTJ. Moreover, optimum methodology for designing MTJ stuck is proposed to increase operation speed. |
| キーワード(和) | MRAM / 130nmプロセスノード / 高速動作 / 高信頼性 |
| キーワード(英) | MRAM / 130nm-node logic process / High speed read operation / High endurance immunity |
| 資料番号 | SDM2004-252 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/3/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 0.13μm MRAM with high speed operation and high reliability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 130nmプロセスノード / 130nm-node logic process |
| キーワード(3)（和/英） | 高速動作 / High speed read operation |
| キーワード(4)（和/英） | 高信頼性 / High endurance immunity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上野 修一 / Shuichi UENO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technologies |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 栄森 貴尚 / Takahisa EIMORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technologies |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黒岩 丈晴 / Takeharu KUROIWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古田 陽雄 / Haruo FURUTA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technologies |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 土本 淳一 / Junichi TSUCHIMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technologies |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 前島 伸六 / Shinroku MAEJIMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technologies |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 辻 高晴 / Takaharu TSUJI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technologies |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 古賀 剛 / Tsuyoshi KOGA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technologies |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 大路 譲 / Yuzuru OJI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technologies |
| 発表年月日 | 2005/3/4 |
| 資料番号 | SDM2004-252 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 713 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |