| 講演名 | 2005/3/4 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ) 浅尾 吉昭, 甲斐 正, 池川 純夫, 土田 賢二, 石綿 延行, 波田 博光, 田原 修一, 與田 博明, |
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| 抄録(和) | 階層ビット線構造を用いたクロスポイントセル型MRAMを提案した. 本セルは6F^2のセルサイズをもち、通常のクロスポイントセルよりも高速動作が可能である. 本論文では0.13μmルールのCMOS回路上にサイズが0.24×0.48μm^2の磁気トンネル接合(MTJ)とヨーク配線をインテグレートして1Mb-MRAMを試作した. 動作電圧1.5Vで250nsのランダムアクセスタイムを実証. また、新しい磁化反転方式によりディスターブ・ロバストなセルを提案・実証した. |
| 抄録(英) | A new cross point (CP) cell with a hierarchical bit line architecture was proposed for magnetoresistive random access memory (MRAM). The new CP cell has a potential high density of 6F^2 and a faster access time than the conventional CP cell. A cell layout design to realize 6F^2 is proposed and associated issues are resolved. Further, a 1Mb MRAM chip based on this structure has been fabricated utilizing 0.13 μm CMOS technology and 0.24×0.48 μm^2 magnetic tunnel junction (MTJ) sandwiched with the most efficient yoke wires ever reported. The access time of 250 ns and 1.5 V operations are successfully demonstrated with the integrated 1Mb chip. Moreover, a new magnetization process was proposed to improve robustness against write disturbance. |
| キーワード(和) | クロスポイントセル / MRAM / Magnetoresistive Random Access Memory / MTJ / 磁気トンネル接合 / ヨーク配線 |
| キーワード(英) | Cross Point Cell / MRAM / Magnetoresistive Random Access Memory / MTJ / Magnetic Tunnel Junction / Yoke |
| 資料番号 | SDM2004-251 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/3/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design and Process Integration for High-Density, High-Speed, and Low-Power 6F^2 MRAM cell : Proposal of a New Magnetization Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | クロスポイントセル / Cross Point Cell |
| キーワード(2)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(3)（和/英） | Magnetoresistive Random Access Memory / Magnetoresistive Random Access Memory |
| キーワード(4)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(5)（和/英） | 磁気トンネル接合 / Magnetic Tunnel Junction |
| キーワード(6)（和/英） | ヨーク配線 / Yoke |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浅尾 吉昭 / Yoshiaki ASAO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 甲斐 正 / Tadashi KAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池川 純夫 / Sumio IKEGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 土田 賢二 / Kenji TSUCHIDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石綿 延行 / Nobuyuki ISHIWATA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 波田 博光 / Hiromitsu HADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田原 修一 / Syuichi TAHARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 與田 博明 / Hiroaki YODA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2005/3/4 |
| 資料番号 | SDM2004-251 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 713 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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