| 講演名 | 2005/3/4 0.18μmMRAMをビークルとしたMRAM大容量化の検討(新型不揮発性メモリ) 山岸 肇, 庄子 光治, 山村 育弘, 大塚 渉, 山田 浩之, 中村 元昭, 元吉 真, 鹿野 博司, 細見 政功, 山元 哲也, 別所 和宏, 成沢 浩亮, 八野 英生, 相良 敦, 森 寛伸, 福本 千恵子, |
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| 抄録(和) | 大容量MRAMを実現するためのプロセス技術として、MTJ素子のRIE加工技術、セル縮小に必要なセルフ・アライン・プロセス、書き込み電流低減に有効なClad配線形成と層間薄膜化プロセスを開発した。スイッチング特性バラツキ低減と読出し0/1分離幅の改善検討を行い、スイッチング特性はMTJの形状に依存し、"サターン型形状"がバラツキ低減に有効であり、アステロイド方式の書込み動作領域を拡大できることが分かった。最適MTJパターンニングとプロセス改善により、1Mbitのテストチップにおいて、0/1分離幅21.4σを実現した。また、トグル方式のMRAM[1]も試作し特性評価した結果、数nsの高速書き込みが実現できることを確認した。 |
| 抄録(英) | In this paper, we have developed RIE technique for MTJ, self align process for shrinking of cell size, clad wiring for decreasing a programming current. And we study to reduce the switching dispersion and improve 0/1 separation of Magnetic Tunnel Junction (MTJ) elements in order to realize high density MRAM. In study of the relation between MTJ shapes and switching distribution, we found the switching dispersion correlate with MTJ shape and the "Saturn" shaped MTJ has best switching behavior. As regards the reading characteristics, the combination of the optimized MTJ pattern and process makes 21.4 sigma separation between high and low resistance states. Also the toggle mode MRAM (Savtchenko switching mode) [1] is evaluated and its effectiveness for high speed programming is confirmed. |
| キーワード(和) | MRAM / MTJ / スイッチング特性 / セルフ・アライン / MTJの形状 / トグル方式 |
| キーワード(英) | MRAM / MTJ / switching characteristic / Self-Align-Process / MTJ shape / Toggle mode MRAM |
| 資料番号 | SDM2004-250 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/3/4(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 0.18μmMRAMをビークルとしたMRAM大容量化の検討(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study for High Density MRAM vehicled on 0.18μm MRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | スイッチング特性 / switching characteristic |
| キーワード(4)（和/英） | セルフ・アライン / Self-Align-Process |
| キーワード(5)（和/英） | MTJの形状 / MTJ shape |
| キーワード(6)（和/英） | トグル方式 / Toggle mode MRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山岸 肇 / Hajime YAMAGISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 庄子 光治 / Mitsuharu SHOJI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山村 育弘 / Ikuhiro YAMAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大塚 渉 / Wataru OHTSUKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山田 浩之 / Hiroyuki YAMADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中村 元昭 / Motoaki NAKAMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 元吉 真 / Makoto MOTOYOSHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニー セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Network Company, Sony Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 鹿野 博司 / Hiroshi KANO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ソニー 情報技術研究所 Information Technologies Laboratories, Sony Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 細見 政功 / Masanori HOSOMI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ソニー 情報技術研究所 Information Technologies Laboratories, Sony Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 山元 哲也 / Tetsuya YAMAMOTO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ソニー 情報技術研究所 Information Technologies Laboratories, Sony Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 別所 和宏 / Kazuhiro BESSYO |
| 第 11 著者 所属（和/英） | ソニー 情報技術研究所 Information Technologies Laboratories, Sony Corporation |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 成沢 浩亮 / Hiroaki NARISAWA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | ソニー 情報技術研究所 Information Technologies Laboratories, Sony Corporation |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 八野 英生 / Hideo HACHINO |
| 第 13 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタ九州 LSI Design Division, Sony Corporation |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 相良 敦 / Tsutomu SAGARA |
| 第 14 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタ九州 LSI Design Division, Sony Corporation |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 森 寛伸 / Hironobu MORI |
| 第 15 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタ九州 LSI Design Division, Sony Corporation |
| 第 16 著者 氏名（和/英） | 福本 千恵子 / Chieko FUKUMOTO |
| 第 16 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタ九州 LSI Design Division, Sony Corporation |
| 発表年月日 | 2005/3/4 |
| 資料番号 | SDM2004-250 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 713 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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