| 講演名 | 2005/3/4 遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して(新型不揮発性メモリ) 澤 彰仁, 藤井 健志, 川崎 雅司, 十倉 好紀, |
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| 抄録(和) | 遷移金属酸化物接合で発現する高速かつ可逆な電界誘起抵抗スイッチング効果の動作メカニズムを解明する目的で, p型半導体のPCMOとn型半導体のNbドープSTO(Nb : STO)の各種電極との接合について電流-電圧特性とパルス電圧印加による抵抗スイッチング特性を詳細に調べた. 接合の電流-電圧特性は, 組み合わせた金属電極材料の仕事関数に依存し, PCMOと浅い仕事関数を有する金属及びNb : STOと深い仕事関数を有する金属との接合ではショットキー的な整流性を示した. また, 整流性を示す接合の電流-電圧特性には明確なヒステリシスが観測され, そのヒステリシスの方向に対応したパルス電圧誘起の抵抗スイッチングが観測された. これらの結果から, 電極金属と酸化物半導体薄膜の界面にショットキー障壁に相当する空乏領域が存在し, その領域への電荷蓄積が可逆な抵抗スイッチングとそのメモリ効果に関連していると考えられる. |
| 抄録(英) | Electric field induced resistance switching has been investigated for transition metal oxide junctions consisting of various metal electrodes and p-type or n-type semiconducting oxides such as Pr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3 or Nb-doped SrTiO_3, respectively. The metal/perovskite-oxide heterojunction devices show rectifying I-V characteristics similar to those of a Schottky junction, indicating the dependence on the work function of the metal. In addition, the I-V characteristics have large hysteresis. Corresponding to the hysteresis directions, the junction devices show reversible resistance switching upon voltage pulse applications. On the basis of the experimental results, we propose that the resistance switching and memory effect are originated by a charging effect in the trapping states at the Schottky-like metal/perovskite-oxide interfaces. |
| キーワード(和) | 遷移金属酸化物 / 接合 / 抵抗スイッチング / RRAM |
| キーワード(英) | Transition metal oxides / Junction / Resistance switching / RRAM |
| 資料番号 | SDM2004-248 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/3/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して(新型不揮発性メモリ) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric Field Induced Resistance Switching in Transition Metal Oxide Junctions : Elucidation of Driving Mechanism for Resistance Switching Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 遷移金属酸化物 / Transition metal oxides |
| キーワード(2)（和/英） | 接合 / Junction |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗スイッチング / Resistance switching |
| キーワード(4)（和/英） | RRAM / RRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 澤 彰仁 / Akihito SAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター Correlated Electron Research Center (CERC), AIST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤井 健志 / Takeshi FUJII |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター:東北大学金属材料研究所 Correlated Electron Research Center (CERC), AIST:Institute for Materials Research, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川崎 雅司 / Masashi KAWASAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター:東北大学金属材料研究所 Correlated Electron Research Center (CERC), AIST:Institute for Materials Research, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 十倉 好紀 / Yoshinori TOKURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター:東京大学物理工学 Correlated Electron Research Center (CERC), AIST:Department of Applied Physics, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2005/3/4 |
| 資料番号 | SDM2004-248 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 713 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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