講演名 2005/1/24
65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
杉浦 巌, 中田 義弘, 三沢 信裕, 大塚 敏志, 西川 伸之, 射場 義弘, 杉本 文利, 説田 雄二, 酒井 久弥, 小浦 由美子, 水島 賢子, 鈴木 貴志, 北田 秀樹, 中野 憲司, 柄沢 章孝, 大倉 嘉之, 河野 隆宏, 綿谷 宏文, 中井 聡, 中石 雅文, 清水 紀嘉, 福山 俊一, 中村 友二, 宮嶋 基守, 矢野 映,
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抄録(和) LSIの微細化は高速化に不可欠であるが、配線ピッチの縮小による配線間容量の増大は、逆に配線遅延を増加させ、動作速度を低下させてしまう。さらに、昨今増加するモバイル用途での超大規模集積回路(ULSI)を中心に、消費電力削減が必須であり、層間絶縁膜の低誘電率化の重要性はさらに増している。この要求に対して、我々は超低誘電率材料NCS(Nano-Clustering Silica)を開発した。NCSは65nm node以降の要求値を満足するk=2.25という超低誘電率と共に、Cu配線を破壊から十分に守ることができる高強度(弾性率E=10GPa)を保持する。我々は、NCSを用いて、65nm世代以降のLSIに適用可能な多層配線技術の確立を目指している。
抄録(英) Minimizing RC of interconnects is important for making high-performance ULSI circuits because signal delay owing to wiring delay has become more dominant than a transistor gate delay with the shrinking design rules. Especially, low power consumption ULSI highly required reducing the wiring capacitance. For these requirements, we developed a novel SOG type porous ultra low-k Nano-Clustering Silica (NCS), which maintain lower dielectric constant (k<2.3) enough for 65-nm node devices, and high film strength (Young's modulus E=10GPa) which can defend Cu interconnects from mechanical stress such as CMP process and wire-bonding process. We have developed Cu multilevel interconnects using NCS, and integration issues have been cleared and optimized for 65-nm node and beyond.
キーワード(和) Cu/Low-k多層配線 / 比誘電率 / ポーラスシリカ
キーワード(英) 65nm node / Cu/Low-k multilevel interconnects / Dielectric constant / Porous silica / NCS
資料番号 SDM2004-245
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2005/1/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
サブタイトル(和)
タイトル(英) NCS/Cu Multilevel Interconnects for 65nm node and beyond
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Cu/Low-k多層配線 / 65nm node
キーワード(2)(和/英) 比誘電率 / Cu/Low-k multilevel interconnects
キーワード(3)(和/英) ポーラスシリカ / Dielectric constant
第 1 著者 氏名(和/英) 杉浦 巌 / I. Sugiura
第 1 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 中田 義弘 / Y. Nakata
第 2 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 三沢 信裕 / N. Misawa
第 3 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 4 著者 氏名(和/英) 大塚 敏志 / S. Otsuka
第 4 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 5 著者 氏名(和/英) 西川 伸之 / N. Nishikawa
第 5 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 6 著者 氏名(和/英) 射場 義弘 / Y. Iba
第 6 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 7 著者 氏名(和/英) 杉本 文利 / F. Sugimoto
第 7 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 8 著者 氏名(和/英) 説田 雄二 / Y. Setta
第 8 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 9 著者 氏名(和/英) 酒井 久弥 / H. Sakai
第 9 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 10 著者 氏名(和/英) 小浦 由美子 / Y. Koura
第 10 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 11 著者 氏名(和/英) 水島 賢子 / Y. Mizushima
第 11 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 12 著者 氏名(和/英) 鈴木 貴志 / T. Suzuki
第 12 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 13 著者 氏名(和/英) 北田 秀樹 / H. Kitada
第 13 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 14 著者 氏名(和/英) 中野 憲司 / K. Nakano
第 14 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 15 著者 氏名(和/英) 柄沢 章孝 / T. Karasawa
第 15 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 16 著者 氏名(和/英) 大倉 嘉之 / Y. Ohkura
第 16 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 17 著者 氏名(和/英) 河野 隆宏 / T. Kouno
第 17 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 18 著者 氏名(和/英) 綿谷 宏文 / H. Watatani
第 18 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 19 著者 氏名(和/英) 中井 聡 / S. Nakai
第 19 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 20 著者 氏名(和/英) 中石 雅文 / M. Nakaishi
第 20 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 21 著者 氏名(和/英) 清水 紀嘉 / N. Shimizu
第 21 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 22 著者 氏名(和/英) 福山 俊一 / S. Fukuyama
第 22 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 23 著者 氏名(和/英) 中村 友二 / T. Nakamura
第 23 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 24 著者 氏名(和/英) 宮嶋 基守 / M. Miyajima
第 24 著者 所属(和/英) 富士通株式会社
Fujitsu Limited
第 25 著者 氏名(和/英) 矢野 映 / E. Yano
第 25 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
発表年月日 2005/1/24
資料番号 SDM2004-245
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 645
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日