| 講演名 | 2005/1/14 ゲートLERがsub-50nm N-MOSFETのextension不純物分布へ及ぼす影響の直接評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)) 福留 秀暢, 籾山 陽一, 久保 智裕, 田川 幸雄, 青山 敬幸, 有本 宏, |
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| 抄録(和) | ゲートラインエッジラフネス(LER)がゲート長50nm以下の微細n-FETにおける2次元キャリア分布に及ぼす影響を直接評価した。ゲートLERにより誘起されたエクステンション領域端のラフネスが注入ドーズ量、ポケット有無、co-implant有無に強く依存することを、走査トンネル顕微鏡を用いて明瞭に観察した。不純物拡散が窒素co-implantにより抑制されると、エクステンション領域端のラフネスが大きくなった。そのような強いラフネスはデバイス特性のバラツキを引き起こす。窒素co-implantがn-FETの電気特性へ及ぼす影響がプロファイルからの予測通りであることを確認した。 |
| 抄録(英) | We directly evaluated the impact of gate line edge roughness (LER) on two-dimensional carrier profiles in sub-50-nm n-FETs. Using scanning tunneling microscopy, we clearly observed that the roughness of the extension edges induced by the gate LER strongly depended on the implanted dose, pockets, and co-implantations. Impurity diffusion suppressed by a nitrogen (N) co-implant enhanced the roughness of the extension edges, which caused fluctuation in the device performance. We verified the expected impact of the N co-implant on the electrical performance of the n-FETs. |
| キーワード(和) | ゲートラインエッジラフネス(LER) / 不純物分布 / ばらつき / 閾値電圧 |
| キーワード(英) | gate line edge roughness (LER) / carrier profile / fluctuation / co-implant / threshold voltage |
| 資料番号 | SDM2004-219 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/1/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲートLERがsub-50nm N-MOSFETのextension不純物分布へ及ぼす影響の直接評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct Evaluation of Gate Line Edge Roughness Impact on Extension Profiles in Sub-50nm N-MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲートラインエッジラフネス(LER) / gate line edge roughness (LER) |
| キーワード(2)（和/英） | 不純物分布 / carrier profile |
| キーワード(3)（和/英） | ばらつき / fluctuation |
| キーワード(4)（和/英） | 閾値電圧 / co-implant |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福留 秀暢 / H. Fukutome |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 籾山 陽一 / Y. Momiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 久保 智裕 / T. Kubo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田川 幸雄 / Y. Tagawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 青山 敬幸 / T. Aoyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 有本 宏 / H. Arimoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 Fujitsu Limited |
| 発表年月日 | 2005/1/14 |
| 資料番号 | SDM2004-219 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 577 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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