| 講演名 | 2005/1/14 Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)) 入江 宏, 喜多 浩之, 弓野 健太郎, 鳥海 明, |
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| 抄録(和) | 基板面方位"面内電流方向"一軸応力の印加方向 |
| 抄録(英) | An investigation of the inversion layer mobility on conditions with systematic combinations of three key parameters : surface orientations, in-plane channel directions, and uni-axial strains, was performed. A guideline for an optimum combination of above three key parameters in terms of electron and hole mobility enhancement is presented. In addition, it is found that the definition of the mobility universality should be changed with surface orientations and uni-axial strains. |
| キーワード(和) | MOS反転層移動度 / 基板面方位 / 一軸性応力 / 面内異方性 / ユニバーサリティー |
| キーワード(英) | Inversion layer mobility / Substrate crystal orientation / Uni-axial strain / In-plane anisotropy / The universality |
| 資料番号 | SDM2004-212 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/1/14(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | In-Plane Mobility Anisotropy and Universality Under Uni-Axial Strains in n-and p-MOS Inversion Layers on (100), (110), and (111) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOS反転層移動度 / Inversion layer mobility |
| キーワード(2)（和/英） | 基板面方位 / Substrate crystal orientation |
| キーワード(3)（和/英） | 一軸性応力 / Uni-axial strain |
| キーワード(4)（和/英） | 面内異方性 / In-plane anisotropy |
| キーワード(5)（和/英） | ユニバーサリティー / The universality |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 入江 宏 / Hiroshi IRIE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Materials Science, the University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 喜多 浩之 / Koji KITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Materials Science, the University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 弓野 健太郎 / Kentaro KYUNO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Materials Science, the University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鳥海 明 / Akira TORIUMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Materials Science, the University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2005/1/14 |
| 資料番号 | SDM2004-212 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 577 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |