| 講演名 | 2004/12/9 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 平野 博茂, 坂上 雅彦, 山岡 邦吏, 中熊 哲治, 岩成 俊一, 村久木 康夫, 三木 隆, 五寳 靖, 藤井 英治, |
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| 抄録(和) | 高密度低消費電力の1Mビット混載強誘電体メモリを開発した。プロセス技術としては、強誘電体キャパシタを水素バリア膜で完全に被覆し、水素による強誘電体分極特性の劣化を防止する水素バリア完全被覆技術を用い、回路技術としては、リフレッシュ動作不要のプレート固定回路技術で高集積化を実現し、選択駆動ビット線方式で低消費電力を実現した。これらのメモリセルアーキテクチャーにより、従来に比ベメモリコアサイズを53%、消費電力を1/50とし、1.5V低電圧動作、メモリセル0.75V動作を実現した。 |
| 抄録(英) | We have successfully developed high density and low power embedded 1Mbit FeRAM. Fully encapsulated cell structure with hydrogen barriers can eliminate the reduction of the ferroelectric property. Low operating voltage of 1.5V with ferroelectric capacitor which operates at 0.75V was realized by using technology of 1) non-driven plate scheme with non-refresh operation and 2) selected driven bit-line scheme. The memory core size is reduced down to 53% and the power consumption is reduced to approximately one-fiftieth compared with those of the conventional scheme. |
| キーワード(和) | 強誘電体 / FeRAM / 高密度 / 低消費電力 |
| キーワード(英) | ferroelectric / FeRAM / high density / low power |
| 資料番号 | SDM2004-208 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Density and Low Power Nonvolatile FeRAM Memory Cell Architecture |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | FeRAM / FeRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 高密度 / high density |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / low power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平野 博茂 / Hiroshige Hirano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂上 雅彦 / Masahiko Sakagami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山岡 邦吏 / Kunisato Yamaoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社システムLSI開発本部 CE System LSI Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中熊 哲治 / Tetsuji Nakakuma |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩成 俊一 / Shunichi Iwanari |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社システムLSI開発本部 CE System LSI Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 村久木 康夫 / Yasuo Murakuki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社システムLSI開発本部 CE System LSI Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 三木 隆 / Takashi Miki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 五寳 靖 / Yasushi Gohou |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社システムLSI開発本部 CE System LSI Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 藤井 英治 / Eiji Fujii |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-208 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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