| 講演名 | 2004/12/9 Sub-keV As^+注入における深さ方向プロファイルの評価(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 江藤 隆則, 芝原 健太郎, |
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| 抄録(和) | 10nm以下の接合深さを持つextension形成のために必要な1keV以下の低エネルギーで注入されたAs^+の深さ方向プロフィルを調べた。一次イオンエネルギー300eVのCs^+照射によるSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)測定から得られたAsプロファイルのtail部の傾きは、シミュレーションより求めたプロファイルの傾きよりもずっと緩やかであった。また、シミュレーションと比べると、実測のピークは浅く、接合深さは深く求まる傾向が見られた。Cs^+照射によるミキシング効果を考慮したモデル計算を行った結果、約1nmのミキシング層の存在を仮定すると、これらの差異を説明することができた。フィッティングにより求められたミキシング層厚さは、一次イオンのエネルギーを低下させてもあまり低減できず、単にCs^+エネルギーを低下させることでは、正確なAsの深さ方向プロファイルを得ることが困難な状況をよく説明している。また表面側では、Si上に1.4nmの厚さの表面層が存在した。この厚さは深さ10nm以下の接合では無視することのできない量であり、5keVでAs^+を注入した場合に形成された表面層0.4nmよりも1nm厚かった。 |
| 抄録(英) | For extension formation whose depth is 10 nm or shallower, As^+ implantation energy must be reduced to 1 keV or lower. We have investigated SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) depth profiling of As^+ implanted at sub-keV implantation energy. In the tail region of As profiles, measured slope was much gentler than that of simulated profiles. Additionally, compared with simulated profiles, the measured profile peak position was shallower and the junction depth was deeper. As a result of model calculation considering mixing effect due to Cs^+ bombardment, these discrepancies were explainable. The primary ion energy reduction scarcely decreased the mixing layer depth. This implies that accurate As depth profiling by simply lowering Cs^+ energy is difficult. At the near-surface region in As profiles, 1.4-nm-thick surface layer on Si was found. This thickness is not negligible for the sub-10-nm junction and thicker than that formed by 5 keV As^+ implantation by 1 nm. |
| キーワード(和) | ヒ素 / イオン注入 / 低エネルギー / Sub-keV / SIMS |
| キーワード(英) | Arsenic / Ion Implantation / Low Energy / Sub-keV / SIMS |
| 資料番号 | SDM2004-207 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Sub-keV As^+注入における深さ方向プロファイルの評価(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヒ素 / Arsenic |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / Ion Implantation |
| キーワード(3)（和/英） | 低エネルギー / Low Energy |
| キーワード(4)（和/英） | Sub-keV / Sub-keV |
| キーワード(5)（和/英） | SIMS / SIMS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江藤 隆則 / Takanori Eto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 芝原 健太郎 / Kentaro Shibahara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-207 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |