| 講演名 | 2004/12/9 Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 市川 和典, 向 正人, パンチャイペッチ P., 矢野 裕司, 畑山 智亮, 浦岡 行治, 冬木 隆, 高橋 英治, 林 司, 緒方 潔, |
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| 抄録(和) | 400℃以下の低温形成が可能であり、従来の平行平板型よりもプラズマダメージが低いSide-Wall電極型PECVDを用いてSiナノタリスタルドットを形成し、そのSiドットをフローティングゲートとしたメモリ素子を作製した。Siドットの形状を透過型電子顕微鏡(TEM)および原子間力顕微鏡(AFM)により評価した結果、直径が約5nm、ドット密度は約8.5×10^<11>/cm^2であり、隣接するドットどうしは孤立し、単一Siドットの作製が可能であることがわかった。このSiナノドットにおける電子注入、保持、放電特性をMOSキャパシタ構造およびMOSFET構造でのゲート電圧の掃引による容量や電流のヒステリシスによって室温で観測できた。また、そのしきい値電圧(vt)のシフト量から1ドットに保持されている電子の数の平均は約1個であることもわかった。本堆積手法によるシリコンナノクリスタルドットは、次世代のメモリの作製手法として有望である。 |
| 抄録(英) | We have fabricated a floating gate memory using Si nano-crystal dot by a new fabrication technique of Side-Wall Typed PECVD. This method provides Si nano-crystal morphology at low temperature (400℃) and the damage of tunneling oxide was lower than parallel plate typed. TEM and AFM analysis revealed that the average dot size and dot density were approximately 5nm and 8.5×lO^～<11>/cm^2, respectively. Electron charging and discharging effect was clearly confirmed with MOS capacitor by the transient behavior of high-frequency capacitance and I-V measurement at room temperature. Next, floating gate n-channel MOSFET was fabricated. Hysteresis characteristics of the transfer curve indicated the electron charging and discharging effect in the dot. A number of electron confine in the dot was approximately one by the rough estimation. |
| キーワード(和) | Siナノクリスタルドット / フローティングゲートメモリ / PECVD / 量子効果 |
| キーワード(英) | Si nano-crystal dot / Floating gate memory / PECVD / Quantum-effect |
| 資料番号 | SDM2004-206 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Side-Wall電極型PECVDによるSiナノドットメモリ(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Si nano-crystal dot memory fabricated by Side-Wall Typed PECVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siナノクリスタルドット / Si nano-crystal dot |
| キーワード(2)（和/英） | フローティングゲートメモリ / Floating gate memory |
| キーワード(3)（和/英） | PECVD / PECVD |
| キーワード(4)（和/英） | 量子効果 / Quantum-effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市川 和典 / Kazunori ICHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 向 正人 / Masato MUKAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | パンチャイペッチ P. / P. PUNCHAIPETCH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 矢野 裕司 / Hiroshi YANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 畑山 智亮 / Tomoaki HATAYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu URAOKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / Takashi FUYUKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高橋 英治 / Eiji TAKAHASH |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO.,LTD. Process Research Center R&D LABORATORIES |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 林 司 / Tsukasa HAYASHI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO.,LTD. Process Research Center R&D LABORATORIES |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 緒方 潔 / Kiyoshi OGATA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO.,LTD. Process Research Center R&D LABORATORIES |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-206 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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