| 講演名 | 2004/12/9 多結晶シリコン薄膜トランジスタの動作解析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 鮫島 俊之, 浅見 雅彦, 渡壁 創, 安藤 伸行, |
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| 抄録(和) | 電子トラップ欠陥を有するNチャンルシリコン薄膜トランジスタの電流電圧特性の数値解析を行った。シリコン膜厚50 nm、ゲート絶縁膜厚100nmの条件下で、シリコン中欠陥密度が2×10^<11>cm^<-2>以下のとき、しきい値電圧は1V以下になる。ミッドギャップの欠陥密度がl×10^<12>cm^<-2>のとき、しきい値は4.5Vと大きな値になる。欠陥エネルギー準位が伝導帯に近い場合、トランスコンダクタンスのしきい値における増大率は小さくなり、ドレイン電流-ゲート電圧は線型特性を満たさなくなる。 |
| 抄録(英) | Numerical analysis of electrical characteristics of n-channel silicon-thin-film transistors including electron carrier trapping defects is reported. When silicon films were 50-nm thick and SiO_2-gate insulator layers were 100-nm thick, the threshold gate voltage was lower than 1 V in a case of the defect density lower than 2×10^<11>cm^<-2>. The threshold gate voltage increased to 4.5 V as the defect density located at the mid gap increased to 1×10^<12>cm^<-2>. The defect located near the conduction band reduced the increasing ratio of transconductance so that the drain current was not proportional to the gate voltage. |
| キーワード(和) | トランスファー特性 / トランスコンダクタンス / ドレイン電流 / 欠陥 |
| キーワード(英) | transfer characteristics / transconductance / drain current / defects |
| 資料番号 | SDM2004-203 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多結晶シリコン薄膜トランジスタの動作解析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Poly crystalline Silicon Thin Film Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トランスファー特性 / transfer characteristics |
| キーワード(2)（和/英） | トランスコンダクタンス / transconductance |
| キーワード(3)（和/英） | ドレイン電流 / drain current |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥 / defects |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鮫島 俊之 / Toshiyuki SAMESHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅見 雅彦 / Masahiko ASAMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡壁 創 / Hajime WATAKABE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安藤 伸行 / Nobuyuki ANDOH |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-203 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |