| 講演名 | 2004/12/9 極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 宮下 誠, 菅原 祐太, 北島 浩司, 畑山 智亮, 矢野 裕司, 浦岡 行治, 冬木 隆, 芹川 正, |
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| 抄録(和) | 低温ポリシリコン薄膜トランジスタは、次世代ティスプレイを実現する有望な技術である。スパッタ法により堆積した薄いケート絶縁膜を有する低温ポリシリコンCMOS TFTの電気特性および信頼性について評価した。伝達特性や出力特性などの初期特性における酸化膜厚依存性について調べた。ゲート絶縁膜の薄膜化に伴い、伝達特性および出力特性の顕著な向上を確認した。さらにこのCMOSTFTによって構成された11段のリングオシレータをピコプローブやエミッション顕微鏡を用いて解析した。9 5nmの薄い絶縁膜を持つリングオシレータでは12MHzの安定した発振を確認した。また、スパッタ酸化膜を持つ低温ポリシリコンTFTとCVD酸化膜を持つ低温ポリシリコンTFTとのホットキャリアストレスによる劣化耐性を比較した。この結果、スパッタ法によるゲート絶縁膜は、薄膜化か容易で、優れた電気特性、信頼性特性を有することが明らかになった。劣化モードの違いを、発光解析から議論し、さらなる高信頼性化に向けた提言を行った。 |
| 抄録(英) | Low temperature poly-S_1 TFT gathers much attention as promising technology for realizing next generation displays We investigated the initial performance and reliability of TFT with ultra-thin gate oxide deposited by sputtering method. We have found that the electric performance is greatly improved with decreasing gate oxide thickness Ring oscillator consisted with CMOS TFTs was analyzed utilizing pico-probing and emission microscope. High speed and stable switching was confirmed in ring oscillator with thin gate oxide. Reliability under drain avalanche hot carrier stress condition was studied by comparing TFT with CVD oxide. Strong hot carrier emission was observed in the TFT with sputtered oxide. We discussed the degradation mechanism in this TFT In this work, we have found that the low temperature poly-S_1 TFT with sputtered gate oxide has superior electrical and reliability characteristics. |
| キーワード(和) | 低温ポリシリコンCMOS TFT / リングオシレータ / スパッタ酸化膜 / ホットキャリア |
| キーワード(英) | low temperature poly-S_1 TFT / Ring oscillator / sputtered oxide / hot carrier |
| 資料番号 | SDM2004-202 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極薄ゲートSiO_2膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hot Carrier Degradation in Low Temperature Poly-Si CMOS TFT with Ultra-Thin gate SiO_2 film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温ポリシリコンCMOS TFT / low temperature poly-S_1 TFT |
| キーワード(2)（和/英） | リングオシレータ / Ring oscillator |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタ酸化膜 / sputtered oxide |
| キーワード(4)（和/英） | ホットキャリア / hot carrier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮下 誠 / Makoto Miyashita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅原 祐太 / Yuta Sugawara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 北島 浩司 / Koji Kitajima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 芹川 正 / Tadashi Serikawa |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京大学先端科学技術研究センター Tokyo University |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-202 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |