| 講演名 | 2004/12/9 ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 河本 直哉, 増田 淳, 松尾 直人, 瀬里 泰洋, 松村 英樹, 浜田 弘喜, 三好 正毅, |
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| 抄録(和) | エキシマレーザアニール(ELA, excimer laser annealing,)の間に溶融Si中に取り込まれた水素の役割を多結晶S_1薄膜のグレインの大粒径化の観点から調査した。我々は触媒化学気相蒸着(Cat-CVD, catalytic chemical vapor deposition)法によりS_1N薄膜の水素濃度を制御したa-S_1/S_1N/glass構造の基板を作製することに成功した。粒径は水素濃度が減少することにより増加し、SiN膜の水素濃度を2.3at.%にすることで部分的に2μmを超えた。また結晶粒界の欠陥と水素の関係についても言及する。 |
| 抄録(英) | The role of the hydrogen which is introduced in the melt-Si during the excimer laser annealing (ELA) is examined from a viewpoint of grain enlargement. We successfully prepared the a-Si/SiN/glass structure by utilizing the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method for SiN film, where hydrogen concentration of SiN film is controlled. The grain size increases as decreasing thehydrogen concentration, and it partially exceeds 2 μm by fixing the hydrogen concentration in the SiN film to 2 3 at % The relationshipbetween the defects of the grain boundary and hydrogen is also referred. |
| キーワード(和) | 多結晶S_1薄膜 / エキシマ・レーザ・アニール / 大粒径化 / 水素 / Cat-CVD |
| キーワード(英) | poly-Si / ELA / grain enlargement / hydrogen / Cat-CVD |
| 資料番号 | SDM2004-200 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Enlargement of ELA poly-Si film : Relationship between Crystal Growth and Hydrogen |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶S_1薄膜 / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | エキシマ・レーザ・アニール / ELA |
| キーワード(3)（和/英） | 大粒径化 / grain enlargement |
| キーワード(4)（和/英） | 水素 / hydrogen |
| キーワード(5)（和/英） | Cat-CVD / Cat-CVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河本 直哉 / N. Kawamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増田 淳 / A. Masuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / N. Matsuo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科物質系工学専攻マテリアル物性部門 Department of Materials Science and Solid-State Physics,Graduate School of Engineering, University of Hyogo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 瀬里 泰洋 / Y. Seri |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松村 英樹 / H. Matsumura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘喜 / H. Hamada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三洋電機株式会社マテリアル・デバイス開発センターB.U. Materials and Devices Development Center BU, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 三好 正毅 / T. Miyoshi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-200 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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