| 講演名 | 2004/12/9 シリコン薄膜のレーザ結晶化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 鮫島 俊之, 渡壁 創, 安藤 伸行, 東 清一郎, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 308-nm-pulsed-XeClエキシマレーザ照射による22-nm-厚シリコン膜の結晶化について報告する。結晶化は150から170mJ/cm^2のエネルギー範囲で起こった。ラマン散乱測定により結晶膜中には結晶粒とアモルファス領域が混在することがわかった。消光係数は250から400nmの範囲でブロードなスペクトルが得られた。13×10^6-Pa-水蒸気熱処理を260℃で3時間施すことにより青緑色の発光が観測された。 |
| 抄録(英) | We report 308-nm-pulsed-XeCl-excimer laser annealing of 2 2-nm-thick silicon films formed on quartz substrates Crystallization occurred at laser energy of 150～170 mJ/cm^2 Raman scattering spectra revealed mixed states of small crystalline grains and disordered amorphous regions. Broad optical extinction coefficient was obtained for wavelength from 250 to 400 nm, although it was similar to that of crystalline silicon for wavelength longer than 400nm Blue-green photoluminescence was observed for the films annealed at 260℃ for 3 h in 1.3x10^6 Pa-H_2O vapor after crystallization |
| キーワード(和) | 結晶化 / アモルファス / ナノ結晶 / フォトルミネッセンス |
| キーワード(英) | crystallization / amorphous / nano-crystallme / photoluminescence |
| 資料番号 | SDM2004-199 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコン薄膜のレーザ結晶化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Pulsed Laser Crystallization of Very Thin Silicon Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 結晶化 / crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | アモルファス / amorphous |
| キーワード(3)（和/英） | ナノ結晶 / nano-crystallme |
| キーワード(4)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鮫島 俊之 / Toshiyuki SAMESHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡壁 創 / Hajime WATAKABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安藤 伸行 / Nobuyuki ANDOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 東 清一郎 / Seiichiro HIGASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端研 Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-199 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |