| 講演名 | 2004/12/9 鉄シリサイドの結晶成長と電気,光学特性の改善(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 前田 佳均, 寺井 慶和, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | β-FeSi_2は1.55μm帯域の光エレクトロニクスヘの応用を目指した基礎研究が進んでいる.β-FeSi2のシリコン上での結晶成長(エピタキシャル成長,多結晶成長),格子ひずみを利用したバンドエンジニアリングの可能性,赤外発光・光電特性などの現状を紹介する. |
| 抄録(英) | Orthorhombic β-FeSi_2 is a typical material directly adapted to 1.55 μm optoelectronics devices. Some topics on epitaxial growth on Si, electronic band engineering due to lattice distortions, IR-light emissions and photovoltaic responses are especially mentioned as unique features of semiconducting silicides as emerging optoelectronics materials. |
| キーワード(和) | シリサイド半導体 / 光エレクトロニクス / エピタキシャル成長 / β-FeSi_2 |
| キーワード(英) | Semiconducting Silicide / Optoelectronics / Epitaxial Growth / β-FeSi_2 |
| 資料番号 | SDM2004-198 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 鉄シリサイドの結晶成長と電気,光学特性の改善(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Semiconducting β-FeSi_2 and Its Growth, Electrical and Optical Properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリサイド半導体 / Semiconducting Silicide |
| キーワード(2)（和/英） | 光エレクトロニクス / Optoelectronics |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth |
| キーワード(4)（和/英） | β-FeSi_2 / β-FeSi_2 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 佳均 / Yoshihito MAEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院エネルギー科学研究科 Department of Energy Science and Technology, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺井 慶和 / Yoshikazu TERAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科マテリアル科学専攻 Department of Material Science, Osaka University |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-198 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |