| 講演名 | 2004/12/9 PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 寒川 雅之, 金島 岳, 吉田 真人, 多田 泰三, 奥山 雅則, 藤本 晶, |
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| 抄録(和) | High-kゲート絶縁膜としてが注目されているHfO_2膜の非接触測定フォトレフレクタンス(PRS)スペクトル強度を膜中電荷に対応づけ,種々の評価と比較検討された.フォトレフレクタンススペクトル強度はSi表面電界に比例するため,膜中に正の電荷が存在すると強度が減少することから膜中の電荷を評価することができる.使用したHfO_2膜はPulsed laser deposition(PLD)法によりSi基板上に酸素,窒素及びその混合ガス中で作製した.窒素中で作製したものは酸素雰囲気中で作製したものよりも多くの正電荷を含むと思われる.またArFエキシマレーザを照射することで正電荷が増加し,これは酸素が抜けたとに対応すると考えられる.また,raoid thermal annealing(RTA)による変化を調べたところ,600℃以上ではPRS信号強度が大きくなることが見られ,膜中電荷が減少したことを示している. |
| 抄録(英) | The fixed oxide charge in HfO_2 thin films have been characterized by photorenectance spectroscopj-.HfO_2 films were deposited on Si by pulsed laser deposition (PLD) in N_2, O_2 and mixture of these gases. The PRS spectral intensity decreases with increasing the positive charge in the film. HfO_2 deposited in N_2 has larger positive charge than that deposited in O_2, because PRS spectral intensity of the former is smaller than the latter. It is confirmed by ArF laser irradiation that this positive charge is caused by oxygen defects in HfO_2. Moreover, effects of rapid thermal annealing (RTA) on HfO_2/Si have been evaluated by using PRS. The PRS spectral intensity becomes the largest value by RTA treatment at 600℃ in N_2 or O_2. It is suggested that the suitable temperature of RTA treatment of HfO_2/Si structure prepared by PLD is 600℃. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | photorenectance spectroscopy (PRS) / pulsed laser deposition (PLD) / hafnium oxide (HfO_2) / fixed charge / Si surface potential |
| 資料番号 | SDM2004-196 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Fixed Charge in High-k Dielectric Thin Film by Photoreflectance |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / photorenectance spectroscopy (PRS) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寒川 雅之 / Masanori SOHGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学研究科電子光科学領域 Area of Advanced Electronics and Optical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金島 岳 / Takeshi KANASHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学研究科電子光科学領域 Area of Advanced Electronics and Optical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 真人 / Masato YOSHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学研究科電子光科学領域 Area of Advanced Electronics and Optical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 多田 泰三 / Taizo TADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学研究科電子光科学領域 Area of Advanced Electronics and Optical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 奥山 雅則 / Masanori OKUYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学研究科電子光科学領域 Area of Advanced Electronics and Optical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤本 晶 / Akira FUJIMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 和歌山高専電気情報工学科 Department of Electrical Engineering, Wakayama National College of Technology |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-196 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |