| 講演名 | 2004/12/9 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 河野 広明, 木本 恒暢, 須田 淳, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | 次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiCを用いたRESURF MOSFETにおけるドーズ設計について調べた。ドーズ設計の最適化はデバイスシミュレーションおよびデバイス作製によって行った。その結果、SiC/SiO_2界面に存在する負の固定電荷が耐圧に大きな影響を与えることが明らかになった。また、耐圧はLDD(Lightly-Doped Drain)ドーズに強く依存することが明らかになった。本研究で作製したRESURF MOSFETは耐圧1080V、ゲート酸化膜電界が3MV/cmのときのオン抵抗が79mΩcm^2と優れた特性を示した。この特性はこれまでに報告されているSiC横型MOSFETとしては最高の特性である。 |
| 抄録(英) | Optimum dose designing for 4H-SiC (0001) two-zone RESURF MOSFETs is investigated by device simulation and fabrication. Simulated results suggest that negative charge at the SiC/SiO_2 interface significantly influences breakdown voltage. Simulation has also showed that breakdown voltage strongly depends on LDD (Lightly-Doped Drain) dose. The dose dependencies of the breakdown voltage experimentally obtained are in good agreement with the device simulation. A RESURF MOSFET, processed by N_2O oxidation, with an optimized dose blocks 1080V and has a low on-resistance of 79 mΩcm^2 at a gate oxide field of 3.0 MV/cm, which is the best 4H-SiC RESURF MOSFET ever reported. |
| キーワード(和) | SiC / RESURF / MOSFET / デバイスシミュレーション / パワーデバイス |
| キーワード(英) | SiC / RESURF / MOSFET / device simulation / power device |
| 資料番号 | SDM2004-193 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dose Designing for 4H-SiC RESRUF MOSFETS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | RESURF / RESURF |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(5)（和/英） | パワーデバイス / power device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河野 広明 / Hiroaki KAWANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun SUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / Hiroyuki MATSUNAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 科学技術振興機構研究成果活用プラザ京都 Innovation Plaza Kyoto, JST |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-193 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |