| 講演名 | 2004/12/9 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) 登尾 正人, 神崎 庸輔, 須田 淳, 木本 恒暢, 松波 弘之, |
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| 抄録(和) | 4H-SiC MOSFETの実用化を目指す上で重要な短チャネル効果について研究を行った.種々のチャネル長を持つ横型MOSFETを4H-SiC(0001),(000-1),(H-20)面上に作製し,その電気的特性を評価した.作製したMOSFETでは,チャネル長の短縮に伴い,パンチスルーを始めとする種々の短チャネル効果が確認された.また,デバイスシミュレーションを用いて短チャネルMOSFETの特性を解析した.作製したMOSFETにおける短チャネル効果の発現条件についても解析を行った.得られた発現条件は,デバイスシミュレーションから見積もった条件,及びSHこおける半経験則よりやや長いチャネル長で短チャネル効果が発現することを示していた.短チャネル効果の面方位依存性は,ほとんど観測されなかった. |
| 抄録(英) | In this paper, short-channel effects in 4H-SiC MOSFETs have been investigated. Planar MOSFETs with various channel lengths have been fabricated on 4H-SiC (0001), (000-1) and (11-20) faces. In the fabricated MOSFETs, short-channel effects such as punchthrough behavior occur by reducing channel length. The critical channel lengths below which short-channel effects occur are also analyzed as a function of p-body doping and oxide thickness. The critical channel lengths in the fabricated MOSFETs are slightly longer than those obtained from the device simulation and the empirical relationship for Si MOSFETs. The dependencies of crystal face orientation for short-channel effects are hardly observed. |
| キーワード(和) | シリコンカーバイド / MOSFET / デバイスシミュレーション / 短チャネル効果 |
| キーワード(英) | silicon carbide / MOSFET / device simulation / short-channel effect |
| 資料番号 | SDM2004-192 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Short-Channel 4H-SiC MOSFETs and Theoretical Analysis of Short-Channel Effects |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(4)（和/英） | 短チャネル効果 / short-channel effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 登尾 正人 / Masato NOBORIO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神崎 庸輔 / Yosuke KANZAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun SUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / Hiroyuki MATSUNAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 科学技術振興機構(JST)研究成果活用プラザ京都 Innovation Plaza Kyoto, JST |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | SDM2004-192 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |