| 講演名 | 2005-04-22 InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般) 浜田 耕太郎, 市川 弘之, 松川 真治, 中林 隆志, 山口 章, 加藤 隆志, |
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| 抄録(和) | InGaAsP/InP系レーザチップに部分研摩を施しEL光を観察することで劣化箇所を特定した。チップ端面のSEM、TEM観察等の技法を検討した。これらの手法を用いESD劣化解析を進めた。チップ端面へのAr^+照射やエージングにより表面酸化や結晶欠陥が発生しESD耐性を低下させることが分かった。 |
| 抄録(英) | The degradation point was specified by both partial grinding to an InGaAsP/InP laser diode chip and EL observation. The techniques such as SEM and TEM observation on the facet were examined. ESD induced degradation analysis was carried out using these techniques. Surface oxidization or a crystal defect occurred due to the Ar^+ irradiation to the facet or the aging, and we found that it increased ESD degradation rates. |
| キーワード(和) | InGaAsP/InP / Laser diode / Degradation analysis / Electro luminescence / SEM/TEM / Electro static discharge |
| キーワード(英) | InGaAsP/InP / Laser Diode / Degradation analysis / Electro luminescence / SEM/TEM / Electro static discharge |
| 資料番号 | R2005-3,CPM2005-3,OPE2005-3 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2005/4/15(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Degradation analysis of InGaAsP/InP laser diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAsP/InP / InGaAsP/InP |
| キーワード(2)（和/英） | Laser diode / Laser Diode |
| キーワード(3)（和/英） | Degradation analysis / Degradation analysis |
| キーワード(4)（和/英） | Electro luminescence / Electro luminescence |
| キーワード(5)（和/英） | SEM/TEM / SEM/TEM |
| キーワード(6)（和/英） | Electro static discharge / Electro static discharge |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浜田 耕太郎 / Kotaro HAMADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 解析技術研究センター:住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所 Analysis Technology Research Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd:Transmission Device R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市川 弘之 / Hiroyuki ICHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 解析技術研究センター:住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所 Analysis Technology Research Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd:Transmission Device R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松川 真治 / Shinji MATSUKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 解析技術研究センター:住友電気工業株式会社 半導体技術研究所 Analysis Technology Research Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd:Semiconductor Technologies R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中林 隆志 / Takashi NAKABAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山口 章 / Akira YAMAGUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 半導体技術研究所 Semiconductor Technologies R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加藤 隆志 / Takashi KATO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd |
| 発表年月日 | 2005-04-22 |
| 資料番号 | R2005-3,CPM2005-3,OPE2005-3 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 26 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |