| 講演名 | 2004/11/5 InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価) 深井 佳乃, 栗島 賢二, 井田 実, 山幡 章司, 榎木 孝知, |
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| 抄録(和) | InP HBT-ICの40Gb/s光通信システムヘの実用化を目指し、高信頼化技術の開発を行っている。高温定電流ストレスによる加速試験の結果、トランジスタ単体の電流利得の減少と識別器の出力レベルの低下が良い相関をもつことが示され、HBT-ICの高信頼化にはトランジスタの電流利得変動の抑制が必要であることを確認した。両劣化モードの活性化エネルギーは0.8evであり、劣化原因は表面再結合によると考えられるベース電流の増加であった。高信頼化に向けて、表面再結合電流の発生を抑制できるガードリング構造を開発し、単体について高温通電試験を行った。電流利得の初期劣化の抑制が確認でき、トランジスタの長寿命化を確認した。これにより、回路の高信頼化への見通しを得た。 |
| 抄録(英) | We studied reliability of InP HBTs and their 40 Gb/s-ICs by accelerated aging tests under high temperature and constant current stresses. A strong correlation between a reduction of dc current gain, β, and a reduction of output level of ICs were obtained. We confirmed that it is necessary for improving reliability of HBT-ICs to suppress degradation of β. The activation energy of both degradation modes was 0.8 eV. And the cause of the degradation was the increase in the base current, which was probably due to a generation of surface recombination current. We have developed a guard ring structure to suppress the surface recombination and confirmed the suppression of early degradation of β. Therefore we have obtained the forecast of long lifetime of HBT-ICs. |
| キーワード(和) | InP HBT / 高信頼化 / 電流利得変動 / ガードリング構造 |
| キーワード(英) | InP HBT / high-reliability / reduction of dc current gain / guard ring structure |
| 資料番号 | R2004-48,ED2004-161 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2004/11/5(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Relation between degradation properties of InP HBTs and their 40Gb/s digital ICs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP HBT / InP HBT |
| キーワード(2)（和/英） | 高信頼化 / high-reliability |
| キーワード(3)（和/英） | 電流利得変動 / reduction of dc current gain |
| キーワード(4)（和/英） | ガードリング構造 / guard ring structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 深井 佳乃 / Yoshino K. FUKAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 栗島 賢二 / Kenji KURISHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井田 実 / Minoru IDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所:(現)NTT情報流通基盤研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present address)NTT Information Sharing Labs. Group |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山幡 章司 / Shoji YAMAHATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所:(現)国際電気通信基礎技術研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present address)Advanced Telecommunications Research Institute International (ATR) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo ENOKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2004/11/5 |
| 資料番号 | R2004-48,ED2004-161 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 427 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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