| 講演名 | 2004/11/5 フッ素系プラズマによる損傷とその回復に関する検討(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価) 紀川 健, 谷口 隆文, 内山 博幸, |
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| 抄録(和) | 我々はこれまで,絶縁膜ドライエッチ加工時のプラズマ損傷機構の解析を行ってきた.今目,高精度のウェットエッチング技術と光電子分光分析技術を用いてフッ素のHEMT結晶中での化学的結合状態の分析を試みた結果,フッ素は表面近傍ではIII族元素と結合し,結晶内部ではキャリア供給層近傍に局在し,ドーパントであるSiと結合している可能性が高いことを見出した.同時に,キャリア供給層及びチャネル層近傍に侵入したフッ素はX線照射により除去可能であり,これにより電気的特性を回復できる可能性がある事を見出した. |
| 抄録(英) | We investigated plasma-induced fluorine damage in p-HEMTs using secondary ion mass spectrometry and Hall measurements. We analyzed the chemical state of fluorine in plasma-damaged layers using a combination of precise wet etching technology and X-ray photoemission spectroscopy. We found that fluorine accumulated in the Si planar doped layer and that the fluorine in the upper part of the Si planar doped layer combined with group III elements and that the fluorine in the lower part of the Si planar doped layer combined with the Si dopants. Moreover, the fluorine, which intruded to the carrier supplying layer and the channel layer was able to remove using X-ray irradiation. It was also found that the electrical characteristics recovered by fluorine removal from the carrier supplying layer and the channel layer. |
| キーワード(和) | HEMT / フッ素 / 光電子分光法 / 結合状態 / X線照射 / 電気的特性の回復 |
| キーワード(英) | p-HEMT / fluorine / Photoemission Spectroscopy / chemical states / X-ray irradiation / recovery of the electrical characteristic |
| 資料番号 | R2004-45,ED2004-158 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2004/11/5(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フッ素系プラズマによる損傷とその回復に関する検討(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Mechanism of Plasma-induced Fluorine damage and The Recovery Using X-ray Irradiation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HEMT / p-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | フッ素 / fluorine |
| キーワード(3)（和/英） | 光電子分光法 / Photoemission Spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 結合状態 / chemical states |
| キーワード(5)（和/英） | X線照射 / X-ray irradiation |
| キーワード(6)（和/英） | 電気的特性の回復 / recovery of the electrical characteristic |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 紀川 健 / Takeshi KIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷口 隆文 / Takafumi TANIGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内山 博幸 / Hiroyuki UCHIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
| 発表年月日 | 2004/11/5 |
| 資料番号 | R2004-45,ED2004-158 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 427 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |