| 講演名 | 2004/11/5 Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価) 戸塚 正裕, 奥 友希, 宮國 晋一, 志賀 俊彦, 國井 徹郎, 加茂 宣卓, 中野 博文, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTは、次期高出力デバイスとして各機関で開発が活発に行われている。パワー特性の改善にはHEMTのコラプス現象の抑制が有効である。このコラプス現象は、パッシベーション膜との界面におけるトラップを低減すれば抑制可能と考えられている。また、このトラップはSiNなどのパッシベーション膜を成膜する際のプラズマダメージによって増加すると考えられる。一方、我々はプラズマダメージなくSiN膜を成膜できるCat-CVD法(Catalytic CVD)をGaAsデバイスに対し開発してきた。プラズマダメージレスであることから、Cat-CVD法はAlGaN/GaN HEMTに対しても有望である。今回、AlGaN/GaN HEMTに対しCat-CVD法を適用し、Cat-NH_3処理+Cat-SiN膜パッシベーションを行うことで、トラップの低減及び、良好なパルスIV特性と信頼性が得られたので報告する。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN HEMTs are strong candidate for future high power and high frequency applications. Many researchers have reported that a suppressing collapse phenomenon of the HEMTs is one of the effective methods to improve power performances. The collapse can be suppressed by reducing influences from interface traps. It is considered that interface traps between AlGaN and SiN passivation films by plasma-enhanced CVD are increased by charged particles in plasma. SiN films by Cat-CVD (Catalytic CVD) method using no plasma excitation are suitable to passivation films for AlGaN/GaN HEMTs. NH_3 treatment in the Cat-CVD reactor before SiN film deposition minimizes the trap density at the SiN/AlGaN interface. The developed HEMT passivated by the Cat-CVD method has excellent pulse-IV performance and reliability. |
| キーワード(和) | Cat-CVD / NH_3 / AlGaN / GaN / HEMT / Passivation / SiN |
| キーワード(英) | Cat-CVD / NH_3 / AlGaN / GaN / HEMT / Passivation / SiN |
| 資料番号 | R2004-44,ED2004-157 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2004/11/5(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface passivation for AlGaN/GaN HEMT by Cat-CVD SiN films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cat-CVD / Cat-CVD |
| キーワード(2)（和/英） | NH_3 / NH_3 |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(6)（和/英） | Passivation / Passivation |
| キーワード(7)（和/英） | SiN / SiN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 戸塚 正裕 / Masahiro TOTSUKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥 友希 / Tomoki OKU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮國 晋一 / Shinichi MIYAKUNI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 志賀 俊彦 / Toshihiko SHIGA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 國井 徹郎 / Tetsuo KUNII |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加茂 宣卓 / Yoshitaka KAMO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中野 博文 / Hirofumi NAKANO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency and Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2004/11/5 |
| 資料番号 | R2004-44,ED2004-157 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 427 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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