| 講演名 | 2005-01-18 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) 前田 就彦, 王 成新, 牧村 隆司, 廣木 正伸, 牧本 俊樹, 小林 隆, 榎木 孝知, |
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| 抄録(和) | 絶縁ゲート膜としてAl_2O_3/Si_3N_4 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS HFETの特性を報告する。前記のMIS HFETは、通常構造のHFETに比べてゲートリーク電流が3-5桁低減され、かつ、ゲート絶縁膜挿入の結果として生じるg_mの低下も小さいという、魅力的な特長を有することが明らかになった。また、再成長オーミック構造を組み込んだ、ゲート長0.1μmのチャネルドープ構造のMIS HFETを試作したところ、オーミックコンタクト抵抗が0.7から0.3mmΩに低減され、低いゲートリーク電流に加えて、1.2A/mmなる高いドレイン電流、MIS構造中最大の280mS/mmなる高いg_mが得られた。高周波特性も、f_T=56GHz, f_ |
| 抄録(英) | We report on device characteristics of AlGaN/GaN MIS HFETs with an Al_2O_3/Si_3N_4 bi-layer gate insulator. Attractive characteristics have been obtained, i.e., the gate leakage current was reduced by three to five orders of magnitude compared with that of normal HFETs, and the reduction in g_m was small which is induced by the insertion of a gate insulator. We fabricated a 0.1 μm gate-length channel-doped MIS HFET where a regrown ohmic structure was also incorporated. As the result of the regrown ohmic structure, the ohmic contact resistance was reduced from 0.7 to 0.3 mmΩ. In addition to the reduced gate leakage current, a high drain current of 1.2 A/mm and a high g_m of 280 mS/mm have been obtained. This is the highest g_m value ever reported in the category of MIS HFETs. The f_T and f_ |
| キーワード(和) | GaN / ヘテロ構造FET / Al_2O_3/Si_3N_4絶縁ゲート膜 / MIS構造 / チャネルドープ構造 |
| キーワード(英) | GaN / HFET / Al_2O_3/Si_3N_4 gate insulator / MIS Structure / doped-channel |
| 資料番号 | ED2004-213,MW2004-220 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2005/1/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al_2O_3/Si_3N_4 Insulated-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Regrown Ohmic Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ構造FET / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | Al_2O_3/Si_3N_4絶縁ゲート膜 / Al_2O_3/Si_3N_4 gate insulator |
| キーワード(4)（和/英） | MIS構造 / MIS Structure |
| キーワード(5)（和/英） | チャネルドープ構造 / doped-channel |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 就彦 / Narihiko MAEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 王 成新 / Chengxin WANG |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 牧村 隆司 / Takashi MAKIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 廣木 正伸 / Masanobu HIROKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 牧本 俊樹 / Toshiki MAKIMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小林 隆 / Takashi KOBAYASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo ENOKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2005-01-18 |
| 資料番号 | ED2004-213,MW2004-220 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 552 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |