| 講演名 | 2005-01-17 GaAs1チップ逆直列バラクタ対の3次混変調歪の測定と寄生インピーダンスの抽出(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) 藪崎 宗久, 韓 青, 大平 孝, 赤池 正巳, 志村 敦, |
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| 抄録(和) | 試作されたGaAs1チップ直列バラクタについて、2.484GHz帯でその非線形性から発生する3次混変調歪(IM3)を測定した。その結果、GaAs1チップ逆直列バラクタ対は単一バラクタの場合と比べて、3次混変調歪が約2.8dB抑圧された。しかし、理論結果を比較すると3次混変調歪が十分抑圧されたとは言えない。そこで、チップに存在する寄生インピーダンスの抽出を試みた。結果として、チップには直列に500[Ω]の寄生抵抗と並列に4[pF]の寄生容量が存在することがわかった。さらに、チップの不純物分布定数がγ=0.827であることを求めた。この値がチップの設計値である非線形歪の抑圧条件γ=0.5と異なっているために、3次混変調歪が十分抑圧されない原因だとわかった。 |
| 抄録(英) | GaAs one Chip Anti-Series Varactor Pair (ASVP) was trial manufactured. Its third-order intermodulation (IM3) distortion generated from nonlinearity of capacitance-voltage characteristics of the ASVP is measured at 2.484GHz. IM3 distortion of the chip is suppressed by approximately 2.8dB from the level of a single varactor (SV). However, the distortion is not satisfied when compared with the result of theory. Consequently, extraction of parasitic impedance is carried out. We find that there are a series-resistance of 500 Ω and a parallel-capacitance of 4 pF exist in the chip. Moreover, impurity distribution coefficient (γ) of the chip is found as 0.827 which is different with the designed value of 0.5. Which is also believed to be the cause of not so good suppression of IM3 distortion. |
| キーワード(和) | GaAs1チップ逆直列バラクタ対 / バラクタ / 3次混変調歪 / 寄生インピーダンス / 不純物分布定数 |
| キーワード(英) | GaAs one Chip Anti-Series Varactor Pair / IM3 / parasitic impedance / impurity distribution coefficient |
| 資料番号 | ED2004-203,MW2004-210 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2005/1/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs1チップ逆直列バラクタ対の3次混変調歪の測定と寄生インピーダンスの抽出(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | IM3 Distortion Measurement and Parasitic Impedance Extraction of GaAs One Chip Anti-Series Varactor Pair |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs1チップ逆直列バラクタ対 / GaAs one Chip Anti-Series Varactor Pair |
| キーワード(2)（和/英） | バラクタ / IM3 |
| キーワード(3)（和/英） | 3次混変調歪 / parasitic impedance |
| キーワード(4)（和/英） | 寄生インピーダンス / impurity distribution coefficient |
| キーワード(5)（和/英） | 不純物分布定数 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藪崎 宗久 / Munehisa YABUZAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学工学部電気工学科 Tokyo University of Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 韓 青 / Qing HAN |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ATR波動工学研究所 ATR Wave Engineering Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大平 孝 / Takashi OHIRA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ATR波動工学研究所 ATR Wave Engineering Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤池 正巳 / Masami AKAIKE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京理科大学工学部電気工学科 Tokyo University of Science |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 志村 敦 / Atsushi SHIMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京理科大学工学部電気工学科 Tokyo University of Science |
| 発表年月日 | 2005-01-17 |
| 資料番号 | ED2004-203,MW2004-210 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 551 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |