講演名 2004/10/29
ジブロックコポリマーの相分離パターンを用いたFePtCuナノドットの作製(高密度磁気ストレージ材料 : 開発の現状・未来と解析技術)
稗田 泰之, 鎌田 芳幸, 内藤 勝之, 喜々津 哲,
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抄録(和) 規則配列したFePtCuドットアレイは、将来1Tbpsiもしくはそれ以上の記録密度を実現することが可能な近接場光記録媒体として注目されている。我々はブロックコポリマーをテンプレートとして高密度のFePtドットアレイの加工を実現した。溝のガイドにより円周状に配列したFePtCuドットアレイをディスク上に形成することに成功した。得られたFePtCuドットは保磁力の増大が確認され、加工により円筒状の形状に変化したことにより形状磁気異方性が増大したことを示していると考えられる。ドットサイズの微小化にも取り組み30nm間隔15nm直径のFePtナノドットアレイの加工にも成功、1Tbpsiの高密度においても有効な加工方法であることが確認された。
抄録(英) Patterned regularly aligned nano-dots of FePtCu will possibly generate magnetic storage media which has density of 1Tbpsi or moreover. We demonstrated fabrication of highly dense FePtCu dot arrays using block copolymer template. Guided self-assembly of block copolymer by groove structure successfully generate circumferentially aligned dot structure. After etching, increase of Hc in out-of-plane direction and decrease in in-plane direction were observed. This suggests that magnetic shape anisotropy increased by change of the shape from plane film to columnar dots. Applicability of this fabrication method to 1Tbpsi dot density were also investigated. FePt nano dot arrays of 30 nm dot pitch and 15nm dot diameter were successfully fabricated. This implies our methods will possibly applicable to fabrication of 1Tbpsi or nloreover high density dot arrays of magnetic media.
キーワード(和) 自己組織化 / ブロックコポリマー / FePt / 磁気記録
キーワード(英) Self-Assembly / Block copolymer / FePt / Magnetic recording
資料番号 MR2004-29
発行日

研究会情報
研究会 MR
開催期間 2004/10/29(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Magnetic Recording (MR)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ジブロックコポリマーの相分離パターンを用いたFePtCuナノドットの作製(高密度磁気ストレージ材料 : 開発の現状・未来と解析技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英) FePtCu Nano-Dots Prepared by Using Self-Assembling Diblockcopolymer
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 自己組織化 / Self-Assembly
キーワード(2)(和/英) ブロックコポリマー / Block copolymer
キーワード(3)(和/英) FePt / FePt
キーワード(4)(和/英) 磁気記録 / Magnetic recording
第 1 著者 氏名(和/英) 稗田 泰之 / Hiroyuki HIEDA
第 1 著者 所属(和/英) (株)東芝研究開発センター
R&D Center, Toshiba Corp.
第 2 著者 氏名(和/英) 鎌田 芳幸 / Yoshiyuki KAMATA
第 2 著者 所属(和/英) (株)東芝研究開発センター
R&D Center, Toshiba Corp.
第 3 著者 氏名(和/英) 内藤 勝之 / Katsuyuki NAITO
第 3 著者 所属(和/英) (株)東芝研究開発センター
R&D Center, Toshiba Corp.
第 4 著者 氏名(和/英) 喜々津 哲 / Akira KIKITSU
第 4 著者 所属(和/英) (株)東芝研究開発センター
R&D Center, Toshiba Corp.
発表年月日 2004/10/29
資料番号 MR2004-29
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 409
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日