| 講演名 | 2005/6/21 Impact of High Performance Accumulation-Mode Fully Depleted SOI MOSFETs(Advanced Si Devices) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | This paper focuses attention on the improved device characteristics of Fully Depleted silicon on insulator (FD-SOI) MOSFETs on Si(100) surface by using normally-off Accumulation-mode device structure. We demonstrated that the current drivability of Accumulation-mode FD-SOI n-MOSFET on Si(100) is about 1.3 times larger than that of conventional Inversion-mode FD-SOI n-MOSFET and the current drivability of Accumulation-mode FD-SOI p-MOSFET is about 1.4 times larger than that of conventional Inversion-mode FD-SOI p-MOSFET. Furthermore, the influence of the impact ion phenomenon in Accumulation-Mode FD-SOI is slightly comparison with that of Inversion-Mode FD-SOI MOSFETs. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | FD-SOI / surface roughness / radical oxidation / Accumulation-mode / Inversion-mode |
| 資料番号 | ED2005-80,SDM2005-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/6/21(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of High Performance Accumulation-Mode Fully Depleted SOI MOSFETs(Advanced Si Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / FD-SOI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Weitao Cheng |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2005/6/21 |
| 資料番号 | ED2005-80,SDM2005-100 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 152 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |