| 講演名 | 2005/1/20 MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術) 田村 隆博, 湯元 美樹, 玉井 功, 葛西 誠也, 佐藤 威友, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | ヘキサゴナル二分決定グラフ(BDD)量子集積回路の実現に向け、MBE選択成長量子細線(SG QWR)ネットワーク技術を適用した量子細線スイッチおよびBDD量子節点デバイスの試作と評価を行った。作製したSG QWRスイッチは、<-011>、<510>両方向とも室温から低温まで通常のFETと同様な動作を示し、低温においては明瞭なコンダクタンスステップが確認された。詳細なゲート制御性を評価するためシュブニコフ-ド-ハース振動測定を行った結果、作製したSG QWRスイッチにおいてはショットキーラップゲート(WPG)の制御により良好なゲート制御性が得られた。2つの方向の細線を組合わせたY字型のBDD節点デバイスを試作し、明確なパススイッチング動作を実現した。また、デバイスのスイッチング速度と電力遅延時間積(PDP)の見積もりを行い、スイッチング速度τ=50ps、PDP=10^<-18>Jを得た。 |
| 抄録(英) | For realization of future quantum-LSIs (Q-LSIs) based on the novel hexagonal binary decision diagram (BDD) circuit approach, quantum wire (QWR) switches and BDD node devices utilizing selectively MBE grown (SG) QWR networks were investigated. Fabricated SG QWR switches using <-110> and <510>-directed nanowires on GaAs (001) substrate operated as conventional FETs at low temperature up to room temperature and clear conductance quantization was observed at low temperature. Their gate control characteristics were studied by gate-dependent Shubnikov-de-Haas oscillation measurements and it was confirmed good gate controllability of SG QWR switches controlled by Shottky wrap gates (WPGs). Y-branch BDD node devices were successfully fabricated combining <-110> and <510>-directed QWRs and realized clear path-switching. Their speed and power performances were also estimated and values of switching speed τ=50ps and PDP=10^<-18>J were obtained. |
| キーワード(和) | 量子細線ネットワーク / MBE選択成長 / 量子細線スイッチ / 二分決定グラフ(BDD) / ショットキーラップゲート / ゲート制御 |
| キーワード(英) | quantum wire network / selective MBE growth / quantum wire switch / binary decision diagram(BDD) / Shottky wrap gate / gate control / GaAs |
| 資料番号 | ED2004-230,SDM2004-225 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/1/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of GaAs BDD Quantum Node Devices Utilized Selective MBE Growth Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線ネットワーク / quantum wire network |
| キーワード(2)（和/英） | MBE選択成長 / selective MBE growth |
| キーワード(3)（和/英） | 量子細線スイッチ / quantum wire switch |
| キーワード(4)（和/英） | 二分決定グラフ(BDD) / binary decision diagram(BDD) |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキーラップゲート / Shottky wrap gate |
| キーワード(6)（和/英） | ゲート制御 / gate control |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田村 隆博 / Takahiro TAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 湯元 美樹 / Miki YUMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 玉井 功 / Isao TAMAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 葛西 誠也 / Seiya KASAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo SATO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University:Research Center for Integrated Quantum Electronics |
| 発表年月日 | 2005/1/20 |
| 資料番号 | ED2004-230,SDM2004-225 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 622 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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