| 講演名 | 2005/1/20 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術) 堀江 元, 須原 理彦, 朝岡 直哉, 福光 政和, 奥村 次徳, |
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| 抄録(和) | 三重障壁共鳴トンネルダイオードは、二重障壁共鳴トンネルダイオードに比べ室温動作に有効な点や、可変容量特性を持つ点などの有用性が高いが、多層構造を有するためこれまで最適設計に関する検討はなされていない。今回、三重障壁共鳴トンネルダイオードにおける微分負性抵抗特性や電流の非線形性、可変容量特性などに着目した材料選択やウエハ構造の最適設計を行う手法を確立し、理論解析を行った。 |
| 抄録(英) | Triple barrier resonant tunneling diodes are very useful with operation at room temperature, non linear variable capacitance, etc. as compared to double barrier resonant tunneling diodes. In this paper, we study to establish a method to obtain optimum TBRTD structure on the basis of theoretical analysis with estimation function refering negative differential resistance, nonlinearity of current, nonlinear variable capacitance. |
| キーワード(和) | 三重障壁共鳴トンネルダイオード / 微分負性抵抗 / 可変容量特性 / 評価関数 / 最適構造 |
| キーワード(英) | resonant tunneling diodes / negative differential resistance / nonlinear variable capacitance / estimation function / optimum structure |
| 資料番号 | ED2004-229,SDM2004-224 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/1/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study of an optimum structure of triple barrier resonant tunneling diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 三重障壁共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diodes |
| キーワード(2)（和/英） | 微分負性抵抗 / negative differential resistance |
| キーワード(3)（和/英） | 可変容量特性 / nonlinear variable capacitance |
| キーワード(4)（和/英） | 評価関数 / estimation function |
| キーワード(5)（和/英） | 最適構造 / optimum structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀江 元 / Hajime HORIE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 須原 理彦 / Michihiko SUHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 朝岡 直哉 / Naoya ASAOKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福光 政和 / Masakazu FUKUMITSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 奥村 次徳 / Tsugunori OKUMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 発表年月日 | 2005/1/20 |
| 資料番号 | ED2004-229,SDM2004-224 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 622 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
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