| 講演名 | 2005/1/20 ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術) 渡辺 正裕, 田村 信平, 金澤 徹, 自念 圭輔, 浅田 雅洋, |
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| 抄録(和) | シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁物弗化カルシウム(CaF_2)とシリサド系金属コバルトシリサイド(CoSi_2)を組み合わせたヘテロ量子構造は、共鳴トンネルやサブバンドを利用し、なおかつ、室温で動作可能な量子効果機能素子の材料系として魅力的である。CoSi_2/CaF_2の接合界面には大きな伝導帯バンド不連続(∿3eV相当)があるため、本材料構成で共鳴トンネルダイオードを構成すると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗が期待できる。近年、著者らは弗化物ヘテロ構造の精密結晶成長法として、100nm以下の微小孔中にエピタキシャル成長を行うローカルエピタキシー法を提案し、CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗の精密制御を達成してきたが、今回、本手法をCoSi_2/CaF_2ヘテロ構造に適用し、三重障壁共鳴トンネルダイオード構造を作製・評価したところ、室温におけるpeak to valley比の大幅な改善が見られたので報告する。 |
| 抄録(英) | (Metal)CoSi_2/(Insulator)CaF_2 triple barrier resonant tunneling diode structures were grown on Si(111) substrate using Local Epitaxy technique. The heterostructures were grown in holes with diameter of 40nm fabricated by electron beam lithography. In the measurement of I-V characteristics, clear negative differential resistance characteristics were observed at room temperature with peak to valley current ratio (PVR) of 33, which was significantly larger than that of RTDs grown by conventional MEB. |
| キーワード(和) | 弗化カルシウム / コバルトシリサイド / ヘテロ接合 / 共鳴トンネル / 微分負性抵抗特性 / シリコン |
| キーワード(英) | CoSi_2 / CaF_2 / epitaxial growth / resonant tunneling / negative differential resistance |
| 資料番号 | ED2004-228,SDM2004-223 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/1/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Negative Differential Resistance of CoSi_2/CaF_2 Triple Barrier Resonant Tunneling Diode Grown by Local Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 弗化カルシウム / CoSi_2 |
| キーワード(2)（和/英） | コバルトシリサイド / CaF_2 |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合 / epitaxial growth |
| キーワード(4)（和/英） | 共鳴トンネル / resonant tunneling |
| キーワード(5)（和/英） | 微分負性抵抗特性 / negative differential resistance |
| キーワード(6)（和/英） | シリコン |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 正裕 / Masahiro WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科:科学技術振興機構 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology:SORST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田村 信平 / Shinpei TAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金澤 徹 / Tohru KANAZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 自念 圭輔 / Keisuke JINEN |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浅田 雅洋 / Masahiro ASADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院総合理工学研究科:戦略創造 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology:CREST-JST |
| 発表年月日 | 2005/1/20 |
| 資料番号 | ED2004-228,SDM2004-223 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 622 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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