| 講演名 | 2005/1/20 MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術) 大池 昇, 本久 順一, 福井 孝志, |
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| 抄録(和) | SiO_2/W複合膜をマスクとして用いたMOVPE選択成長(SA-MOVPE)により、ゲートをセルフアライン的に形成したGaAs/AlGaAs細線トランジスタを作製した。このセルフアラインゲート型細線トランジスタにおいて、MOVPE選択成長により作製した構造の断面がメサ形状になる場合、メサ構造の高い位置にチャネルを形成することで、ファセットによる電子の閉じこめ効果を大きくできるが、それと同時にゲートとチャンネル間の距離は大きくなってしまう。そこで、チャネル幅やチャネルーゲート間距離などの形状的な因子の異なる試料をいくつか作製し、形状的な因子とゲート制御性との関連性を評価した。その結果、ゲート制御性はゲートとチャネルとの距離には依存せず、チャネル幅によって主に決定されることが明らかとなった。得られたトランジスタ特性の形状的因子依存性より、このトランジスタの動作メカニズムを議論する。 |
| 抄録(英) | We have fabricated GaAs/AlGaAs Field Effect Transistor (FETs) having a narrow wire channel and a self-aligned tungsten (W) gate electrode by using Selective-Area Metal Organic Vapor Epitaxy (SA-MOVPE). Stacked film of SiO_2/W was used as a mask for SA-MOVPE. In case that the structure in cross-section fabricated by SA-MOVPE is mesa-shape, the distance between bottom W-gate electrode on the substrate and channel layer become far, as the channel layer forms at a higher position of the mesa structure. So that, we fabricated wire structures with different structural parameters, for example channel-gate distance or channel width, and demonstrated relation of gate-control and their structural parameters. As a result, we obtained that the gate-control depended only on channel width. From these results, we will discuss operation mode of the narrow wire-transistor having self-aligned W gate. |
| キーワード(和) | 選択成長 / セルフアラインゲート / 細線トランジスタ |
| キーワード(英) | SA-MOVPE / Self-aligned gate / Narrow wire-transistor |
| 資料番号 | ED2004-227,SDM2004-222 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/1/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of wire transistor with self-aligned gate by selective area MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 選択成長 / SA-MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | セルフアラインゲート / Self-aligned gate |
| キーワード(3)（和/英） | 細線トランジスタ / Narrow wire-transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大池 昇 / N. Ooike |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and, Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本久 順一 / J. Motohisa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and, Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福井 孝志 / T. Fukui |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology and, Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2005/1/20 |
| 資料番号 | ED2004-227,SDM2004-222 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 622 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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