| 講演名 | 2005-01-18 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) 金村 雅仁, 吉川 俊英, 常信 和清, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を低コストである導電性n-SiC基板上に作製した。寄生成分の影響を抑制するためにAlNバッファ層を基板とHEMT構造のあいだに導入した。作製したGaN HEMT増幅器(1チップ)の特性としてドレイン電圧60V、周波数2.14GHzで出力101W、利得15.5dB、効率50%が得られた。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) were fabricated on a low-cost conductive n-SiC substrate. A single-chip GaN HEMT amplifier, operating at 60 V, achieved high CW output power of 101 W, a high linear gain of 15.5 dB and 50% power-added- efficiency at 2.14 GHz. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / 基地局 / n-SiC基板 / 窒化アルミニウム |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / Base Station / n-SiC Substrate / AlN |
| 資料番号 | ED2004-220,MW2004-227 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/1/11(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier on a Conductive N-SiC Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 基地局 / Base Station |
| キーワード(3)（和/英） | n-SiC基板 / n-SiC Substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化アルミニウム / AlN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2005-01-18 |
| 資料番号 | ED2004-220,MW2004-227 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 550 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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