| 講演名 | 2005-01-18 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) 三好 実人, 今西 敦, 石川 博康, 江川 孝志, 浅井 圭一郎, 柴田 智彦, 田中 光浩, 小田 修, |
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| 抄録(和) | 100mm径エピタキシャルAIN/サファイア上へのAl_<0.26>Ga_<0.74>N/AIN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を行った.作製したエピ膜の2次元電子ガス(2DEG)特性を評価したところ, 室温および15Kにおいて各々2100cm^2/Vs以上, 25000cm^2/Vs以上(2DEG濃度 : 約1×10^<13>/cm^2)という極めて高いHall移動度を有する事が確認された.これは, AINスペーサ層の挿入による合金散乱の抑制, ならびにエピタキシャルAIN膜を下地層としたことによるエピ膜の高品質化によるものと考えられた.リセスオーミック構造を有するゲート長1.5μmのHEMTを試作しそのDC特性を評価したところ, 最大相互コンダクタンス約220mS/mm, 最大ドレイン電流密度1A/mm以上(閾値電圧約-4.08V)という高い値が得られた. |
| 抄録(英) | Al_<0.26>Ga_<0.74>N/AlN/GaN heterostructures were grown on 100-mm-diameter epitaxial AlN/sapphire templates by MOVPE. The very high Hall mobilities over 2100 cm^2/Vs at room temperature and 25000cm^2/Vs at 15K with a 2DEG density of approximately 1×10^<13>/cm^2 were observed for AlGaN/AlN/GaN heterostructures on epitaxial AlN/sapphire templates. This seems to be because the thin AlN interfacial layer between the AlGaN and GaN layers effectively suppressed alloy disorder scattering and epitaxial AlN/sapphire templates contributed to the high electron mobility by the realization of a high-quality GaN channel. Recessed ohmic HEMTs were successfully fabricated using those epitaxial wafers. A high maximum extrinsic transconductance of approximately 220mS/mm and a high maximum drain-source current density over 1A/mm with a threshold voltage of -4.08V were obtained for 1.5-μm-gate-length recessed-ohmic AlGaN/AlN/GaN HEMTs. |
| キーワード(和) | エピタキシャルAlN/サファイア / 100mm径基板 / リセスオーミックコンタクト |
| キーワード(英) | AlGaN/AlN/GaN / HEMT / epitaxial AlN/sapphire / MOVPE / 100-mm-diameter substrates / recessed ohmic contact |
| 資料番号 | ED2004-217,MW2004-224 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2005/1/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Recessed Ohmic AlGaN/AlN/GaN HEMTs Grown on 100-mm-diam Epitaxial AlN/Sapphire Templates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エピタキシャルAlN/サファイア / AlGaN/AlN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 100mm径基板 / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | リセスオーミックコンタクト / epitaxial AlN/sapphire |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto MIYOSHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター:日本ガイシ株式会社 Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology:NGK Insulators, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 今西 敦 / Atsushi IMANISHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浅井 圭一郎 / Keiichiro ASAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK Insulators, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 柴田 智彦 / Tomohiko SHIBATA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK Insulators, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田中 光浩 / Mitsuhiro TANAKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK Insulators, Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 小田 修 / Osamu ODA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK Insulators, Ltd. |
| 発表年月日 | 2005-01-18 |
| 資料番号 | ED2004-217,MW2004-224 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 550 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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