| 講演名 | 2004/12/9 ダイヤモンド電子源の開発 : Pドープダイヤモンドの加工技術と電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) 西林 良樹, 辰巳 夏生, 難波 暁彦, 今井 貴浩, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | これまで我々はダイヤモンドの微細先端の尖鋭加工技術を開発し、ダイヤモンドの電子エミッタに応用することを検討してきた。またダイヤモンドから電子を引き出すためにはn型膜の方が有利であると考え、n型の候補であるPドープによるエピタキジャル膜を開発した。このPドープ膜を尖鋭加工することによって、比較的良好な電子放出特性を得たので、ここに報告する。 |
| 抄録(英) | The authors have developed fabrication technique of diamond tips for electron emitter and have studied P-doped epitaxial film because the n-type film which have Fermi level at higher level is effective for electron emitter in comparison with p-type film. The authors report on electron emission properties from P-doped epitaxial emitter. |
| キーワード(和) | ダイヤモンド / 微細加工 / n型膜 / 電子源 |
| キーワード(英) | Diamond / Micro-fabrication / n-type film / Electron source |
| 資料番号 | ED2004-192 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ダイヤモンド電子源の開発 : Pドープダイヤモンドの加工技術と電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of diamond electron source : Fabrication of sharp tip and electron emission properties for P-doped diamond films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンド / Diamond |
| キーワード(2)（和/英） | 微細加工 / Micro-fabrication |
| キーワード(3)（和/英） | n型膜 / n-type film |
| キーワード(4)（和/英） | 電子源 / Electron source |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西林 良樹 / Yoshiki NISHIBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社半導体研究所 Semiconductor R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 辰巳 夏生 / Natsuo TATSUMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社半導体研究所 Semiconductor R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 難波 暁彦 / Akihiko NAMBA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社半導体研究所 Semiconductor R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今井 貴浩 / Takahiro IMAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社半導体研究所 Semiconductor R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/12/9 |
| 資料番号 | ED2004-192 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 519 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |