| 講演名 | 2004/11/5 SOI基板上の横形IGBTにおける耐圧特性の経時変化(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価) 澄田 仁志, |
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| 抄録(和) | パワーICの信頼性確立において実施する出力用高耐圧素子の信頼性確認実験の一例として、SOI基板上に形成した165V保証横形IGBTの高温・高電圧印加試験時における耐圧特性の経時変化について報告する。耐圧特性の評価結果とともに、本試験によって発生した特性不良の解析実施例も示す。本報ではこれらの結果を通して、高温・高電圧直流印加試験の方法、耐圧値の経時変化の様子、また耐圧変動の発生メカニズム解明手段とその対策案について説明する。 |
| 抄録(英) | Long-term reliability of high-voltage lateral IGBTs on SOI is reported. Thermal and electrical stress was constantly imposed on the devices during 1000 hours. The breakdown voltages of the devices were measured at a certain time for the duration of the test. These results together with the failure analysis of the devices with the deteriorated characteristics are shown in this paper. |
| キーワード(和) | パワーIC / SOI基板 / 横形IGBT / 高温・高電圧直流印加試験 / 耐圧特性 |
| キーワード(英) | high-voltage lateral IGBT / SOI / blocking capability / thermal and electrical stress / failure analysis |
| 資料番号 | R2004-41,ED2004-154 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/11/5(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI基板上の横形IGBTにおける耐圧特性の経時変化(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Blocking Capability of SOI-LIGBTs Imposed thermal and Electrical Stress |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーIC / high-voltage lateral IGBT |
| キーワード(2)（和/英） | SOI基板 / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | 横形IGBT / blocking capability |
| キーワード(4)（和/英） | 高温・高電圧直流印加試験 / thermal and electrical stress |
| キーワード(5)（和/英） | 耐圧特性 / failure analysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 澄田 仁志 / Hitoshi Sumida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士電機デバイステクノロジー(株) Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/11/5 |
| 資料番号 | R2004-41,ED2004-154 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 428 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |