| 講演名 | 2004/10/15 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 松井 慎一, 山本 幸太郎, 石川 博康, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | MOCVD法により4インチSi基板上へのAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長を行った。AlNバッファ層の膜厚依存性を調べたところ、バッファ層の厚膜化により結晶品質が改善され、移動度はわずかに向上した。しかし、AlNバッファ層の膜厚が200nm以上の場合では、クラックの影響により移動度が低下する結果となった。さらに、GaN/AlN多層膜のペア数依存性を調べたところ、ペア数の増加に伴い結晶品質が改善され、移動度は向上した。ペア数が70の場合、室温で1524.1cm^2/Vs、77Kで10958.3cm^2/Vsという高い移動度が得られた。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN HEMT structures were grown on 4 inch Si substrates by MOCVD method. We investigated the influences of AlN buffer layer thickness. The crystal quality and mobility were slightly improved when AlN buffer layer thickness was increased. However, when AlN buffer layer thickness was more than 200 nm, the mobility decreased due to cracks. We also investigated the influences of the number of pairs in GaN/AlN multilayers. The crystal quality improved and the mobility increased, with increasing the number of pairs in the multilayers. The sample which has 70-pair multilayers showed mobility of 1524.1 and 10958.3 cm^2/Vs at 300 and 77K, respectively. |
| キーワード(和) | 4インチ / Si基板 / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) |
| キーワード(英) | 4-inch / Si substrate / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / HEMT |
| 資料番号 | ED2004-139,CPM2004-113,LQE2004-77 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influences of AlN buffer layer on AlGaN/GaN HEMTs on 4 inch Si substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4インチ / 4-inch |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(6)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松井 慎一 / Shinichi MATSUI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 幸太郎 / Kotaro YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-139,CPM2004-113,LQE2004-77 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 358 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |