| 講演名 | 2005/5/19 InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 寒川 義裕, 柿本 浩一, 伊藤 智徳, 纐纈 明伯, |
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| 抄録(和) | 近年、InNの発光が赤外域(波長～1500nm)で観測され、窒化物半導体を用いた発光素子の長波長化が検討されるようになった。具体的には高In組成のInGaNやInAlNを活性層とするデバイスの開発が行われている。しかし、InNとGaNおよびAlNは格子定数差が大きく、混晶を形成したときに強い非混和性を示す。本研究ではGaNおよびInN厚膜上に成長したInAlGaN薄膜の混合エンタルピーを原子間ポテンシャル法により求め、基板からの格子拘束が混晶薄膜の非混和性に与える影響を検討した。解析の結果、GaN厚膜上に成長したInAlGaNでは格子拘束の影響により、混合エンタルピーが最大となる混晶組成が高In組成側に移動し、InN厚膜上に成長した場合では低In組成側に移動することがわかった。これらの結果は薄膜の熱力学的安定性を議論す上で基板からの格子拘束を考慮することが重要であることを示す。 |
| 抄録(英) | We investigated thermodynamic stability of InAlGaN based on calculations of enthalpy of mixing using empirical interatomic potentials. Moreover, we studied influence of lattice constraint from bottom layers ((0001)GaN and (0001)InN layer) on the thermodynamic stability of the semiconductor thin films. The results suggest that maximum point of the enthalpy of mixing shift to In-rich (In-poor) side if InAlGaN thin film is on the GaN (InN) layer. These results suggest that the lattice constraint from bottom layer has a significant influence on thermodynamic stability of thin films. |
| キーワード(和) | 非混和性 / 混合エンタルピー / 基板拘束 |
| キーワード(英) | InAlGaN / compositional instability / enthalpy of mixing / lattice constraint |
| 資料番号 | ED2005-33,CPM2005-25,SDM2005-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/5/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermodynamic stability of InAlGaN thin films grown on GaN and InN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非混和性 / InAlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 混合エンタルピー / compositional instability |
| キーワード(3)（和/英） | 基板拘束 / enthalpy of mixing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寒川 義裕 / Yoshihiro KANGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学応用力学研究所 Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柿本 浩一 / Koichi KAKIMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学応用力学研究所 Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 智徳 / Tomonori ITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 纐纈 明伯 / Akinori KOUKITU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京農工大学大学院共生科学技術研究部 Institute of Symbiotic Science and Technology, Tokyo University of A & T |
| 発表年月日 | 2005/5/19 |
| 資料番号 | ED2005-33,CPM2005-25,SDM2005-33 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 91 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |