| 講演名 | 2005/5/19 リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_<1-x>O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 山本 兼司, 中村 篤志, 石原 純二, 青木 徹, 天明 二郎, |
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| 抄録(和) | リモートプラズマ励起MOCVD(RPE-MOCVD)法を用い、a面サファイア(11-20)基板上にMg_xZn_<1-x>O薄膜を成長した。II族原料にDEZnとEtCp_2Mgを用い、II族原料流量比を操作させることでMg_xZn_<1-x>O薄膜のMg組成を変化させた。VI族原料には酸素中性ラジカルを用いた。Mg組成の定量はEPMAおよび原子吸光分析によって行い、Mg_xZn<1-x>Oの分光透過率およびPLを測定し、光学特性評価を行った。Mg組成の増加によりバンドギャップが増大し、バッファ層無しでウルツ鉱構造Mg_xZn<1-x>Oのバンドギャップを3.28eVから3.69eVの範囲で制御できることが分かった。また、Mg組成とストークスシフトの関係を明らかにした。 |
| 抄録(英) | Mg_xZn_<1-x>O alloy thin films were grown on a-plane sapphire (11-20) substrate by remote plasma enhanced MOCVD (RPE-MOCVD). Diethyl zinc (DEZn) and bis-ethylcyclopentadinienyl magnesium (EtCp_2Mg) were used as group-II sources, and Mg content x in Mg_xZn_<1-x>O films was controlled by varying flow ratio of group-II sources. Oxygen radicals were used as group-VI source. The Mg content x was determined by electron probe microanalysis (EPMA) and atomic absorption spectrometry (AAS). The optical properties of Mg_xZn_<1-x>O films were investigated by transmittance and photoluminescence measurements. The bandgap of Mg_xZn_<1-x>O films depends on the Mg content. The bandgap energy were changed from 3.28eV to 3.69eV on the Mg_xZn_<1-x>O films without buffer ZnO layer. The relation between Mg content x and Stokes' shift was discussed. |
| キーワード(和) | リモートプラズマ励起MOCVD (RPE-MOCVD) / ストークスシフト |
| キーワード(英) | Mg_xZn_<1-x>O / remote plasma enhanced MOCVD (RPE-MOCVD) / DEZn / EtCp_2Mg / Stokes' shift |
| 資料番号 | ED2005-26,CPM2005-18,SDM2005-26 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2005/5/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_<1-x>O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and optical property of Mg_xZn_<1-x>O alloy films by remote plasma MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | リモートプラズマ励起MOCVD (RPE-MOCVD) / Mg_xZn_<1-x>O |
| キーワード(2)（和/英） | ストークスシフト / remote plasma enhanced MOCVD (RPE-MOCVD) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 兼司 / Kenji YAMAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / Atsushi NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石原 純二 / Junji ISHIHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru AOKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro TEMMYO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2005/5/19 |
| 資料番号 | ED2005-26,CPM2005-18,SDM2005-26 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 91 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |